公开(公告)号：CN101399254B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810166300.1

申请日：2008-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥昌男 ,  竹村康司 ,  阪下俊彦 ,  三村忠昭

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。

公开(公告)号：CN102714195A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080056847.1

申请日：2010-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤惠亮 ,  竹村康司

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/02 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置，可将组件壳体的温度上升抑制在容许范围内，能够避免由散热部件的热膨胀对封装基板的部件的影响。该半导体装置具备半导体元件(1)、封装基板(2)和散热部件(4)，半导体元件(1)的第1主面(1a)配置成与封装基板(2)的元件载置面(2a)相对置，从而连接于封装基板(2)，散热部件(4)的主面部(4a)经由热传导部件(4)与相当于半导体元件(1)的第1主面(1a)的背面的第2主面(1b)连接，并且，其外周的固定部(4b)由粘合剂(6)固定在封装基板(2)的元件载置面(2a)的固定区(2c)，形成于封装基板(2)的布线(14)在固定区(2c)的涂布了粘合剂(6)的区域形成在元件载置面(2a)以外的面。

公开(公告)号：CN102324419B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110302929.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN101373755A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810214200.1

申请日：2008-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平野博茂 ,  竹村康司 ,  小池功二

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其实现布线的低电阻化，具备可以抑制电压降的布线构造。半导体集成电路的电源布线构造具备由沿着第1方向延伸而形成的多个布线(1D)以及(1S)构成的布线层(1)；在布线层(1)上，由沿着与第1方向垂直的方向即第2方向延伸而形成的多个布线(2D)以及(2S)构成的布线层(2)；和在布线层(2)上，由沿着与第2方向相同的方向延伸而形成的多个布线(4D)以及(4S)构成的布线层4。

公开(公告)号：CN102714195B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201080056847.1

申请日：2010-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤惠亮 ,  竹村康司

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/02 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置，可将组件壳体的温度上升抑制在容许范围内，能够避免由散热部件的热膨胀对封装基板的部件的影响。该半导体装置具备半导体元件(1)、封装基板(2)和散热部件(4)，半导体元件(1)的第1主面(1a)配置成与封装基板(2)的元件载置面(2a)相对置，从而连接于封装基板(2)，散热部件(4)的主面部(4a)经由热传导部件(4)与相当于半导体元件(1)的第1主面(1a)的背面的第2主面(1b)连接，并且，其外周的固定部(4b)由粘合剂(6)固定在封装基板(2)的元件载置面(2a)的固定区(2c)，形成于封装基板(2)的布线(14)在固定区(2c)的涂布了粘合剂(6)的区域形成在元件载置面(2a)以外的面。

公开(公告)号：CN100378979C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410047701.7

申请日：2004-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西学 ,  竹村康司 ,  永井纪行 ,  许浩沿 ,  中山知之 ,  土井淳

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在采用POE(元件上焊盘)技术和锯齿状的电极焊盘排列的CSP型(芯片尺寸封装)的半导体器件中，消除了半导体芯片尺寸增大的主要原因。在邻接半导体芯片(10)的表面上的边角单元(11)处，分别在四周边缘部分形成排列的输入输出单元(12)、在各输入输出单元(12)上形成电极焊盘(13)。电极焊盘(13)以锯齿状的焊盘排列形式构成内侧焊盘列和外侧焊盘列。其中，通过省略邻接构成内侧焊盘列的电极焊盘(13)中的边角单元(11)两侧的规定范围内排列的电极焊盘，可以防止在半导体芯片(10)上凸起连接的载体(20)的布线图形(21)和通孔(22)的交错。

公开(公告)号：CN101290912B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810083557.0

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN1540754A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410047701.7

申请日：2004-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西学 ,  竹村康司 ,  永井纪行 ,  许浩沿 ,  中山知之 ,  土井淳

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在采用POE(元件上焊盘)技术和锯齿状的电极焊盘排列的CSP型(芯片尺寸封装)的半导体器件中，消除了半导体芯片尺寸增大的主要原因。在邻接半导体芯片(10)的表面上的边角单元(11)处，分别在四周边缘部分形成排列的输入输出单元(12)、在各输入输出单元(12)上形成电极焊盘(13)。电极焊盘(13)以锯齿状的焊盘排列形式构成内侧焊盘列和外侧焊盘列。其中，通过省略邻接构成内侧焊盘列的电极焊盘(13)中的边角单元(11)两侧的规定范围内排列的电极焊盘，可以防止在半导体芯片(10)上凸起连接的载体(20)的布线图形(21)和通孔(22)的交错。

公开(公告)号：CN102324419A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110302929.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN101425517A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810171007.4

申请日：2008-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  隈川隆博 ,  松岛芳宏

IPC: H01L27/118 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种半导体装置，防止将半导体晶片分割成芯片时，在划片区使用激光开槽方法的情况下，一旦直至扩散层都透过激光，则在扩散层上设置的扩散层导电膜吸收激光，从而因导电膜的溶解及体积膨胀而在扩散层导电膜上的大范围内发生层间绝缘膜的膜剥离。在半导体基板(1)之上交替层叠形成了布线的第1层间绝缘膜(6)和形成了与布线电连接的通孔的第2层间绝缘膜(7)，形成具有与布线或通孔电连接的功能元件的多个电路区(2)和在该电路区(2)的周围形成，从半导体基板(1)切出电路区(2)时的切割区即划片区(4)。在划片区(4)中，形成由导电性材料构成的第1伪图案(12)及第2伪图案(13)。