公开(公告)号：CN117274049A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311018629.4

申请日：2023-08-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 朱尊杰 ,  张文豪 ,  魏宇鑫 ,  汪奇挺 ,  傅晟

IPC: G06T3/40 ,  G06N5/04

Abstract: 本发明公开了一种基于训练后量化的视频超分方法，首先使用数据集训练FP32的模型，然后使用TensorRT对模型进行部署；最后使用数据集进行int8量化以及校准。本发明提出了视频超分网络的优化方法能够有效的减少参数量，缩短推理时间。并实现部分场景下的落地使用。本发明基于TensorRT对FRVSR做训练后静态量化，并针对量化误差大的层做分组量化，能够保证最终的量化精度，并提出了具体的实现方案，能够有效的优化FRVSR在GPU上的推理部署。

公开(公告)号：CN117217991A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311026041.3

申请日：2023-08-15

Applicant: 杭州电子科技大学丽水研究院

Inventor： 颜成钢 ,  张文豪 ,  陈雨中 ,  魏宇鑫 ,  汪奇挺 ,  傅晟 ,  付莹 ,  郭雨晨 ,  赵思成 ,  孙垚棋 ,  朱尊杰 ,  高宇涵 ,  王鸿奎 ,  赵治栋 ,  殷海兵 ,  王帅 ,  张继勇 ,  李宗鹏 ,  丁贵广

IPC: G06T3/40 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/08 ,  G06N5/046

Abstract: 本发明公开了一种基于TensorRT的视频超分推理方法及装置，首先对视频超分网络进行训练；然后对网络算子进行分析，对常用算子进行整理，对不支持算子进行编写，对于可优化算子做算子融合；最后对于完整的视频超分网络结构，使用TensorRT编写并生成序列化引擎进行推理。本发明提出了视频超分推理落地的新方法，即是使用TensorRT该推理框架进行部署和加速，建立常用算子库将TensorRT算子和Pytorch算子进行对齐，优化部署过程，并能够比在训练框架下的推理有更好的速度和更低的显存占用。

公开(公告)号：CN116993908A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310894835.5

申请日：2023-07-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 朱尊杰 ,  魏宇鑫 ,  颜成钢 ,  张文豪 ,  路荣丰 ,  赵思成 ,  孙垚棋 ,  王帅 ,  高宇涵 ,  王鸿奎 ,  赵治栋 ,  殷海兵 ,  张继勇 ,  李宗鹏 ,  丁贵广 ,  付莹 ,  郭雨晨

IPC: G06T17/00 ,  G06T17/05 ,  G06T7/70 ,  G06T7/80

Abstract: 本发明公开了一种多传感器信息融合的相机定位和三维重建方法。本发明方法分为前端和后端两个线程来实现三维模型的重建。前端线程通过融合多个、多种传感器实现了更加鲁棒的位姿估计以及更加高效的场景地图重建。后端线程在提供了准确的回环检测后构建位姿图优化，进而获得了更为精确的相机位姿估计以及更高的三维地图质量。

公开(公告)号：CN105870182A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610250783.8

申请日：2016-04-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  张文豪 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明公开一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管,包括源区、漏区、沟道区、阻挡层、上绝缘介质层、下绝缘介质上栅极和下栅极；其中漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从漏区到沟道区的掺杂浓度相同，源区采用不同于漏区和沟道区的掺杂类型。源区和漏区中间有一层阻挡层，不直接接触。本发明使用对称垂直双栅结构，增加了隧穿接触面积，减小隧穿势垒宽度，增大导通电流，阻挡层和延伸的栅电极有效抑制了器件的关态漏电，通过减小体硅厚度和使用High?K栅介质可以改善亚阈值斜率。相比于目前的MOS器件的较大的亚阈值斜率，较大的泄露电流，本发明优势明显，适合用于小尺寸器件领域。

公开(公告)号：CN105870182B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201610250783.8

申请日：2016-04-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  张文豪 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管,包括源区、漏区、沟道区、阻挡层、上绝缘介质层、下绝缘介质上栅极和下栅极；其中漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从漏区到沟道区的掺杂浓度相同，源区采用不同于漏区和沟道区的掺杂类型。源区和漏区中间有一层阻挡层，不直接接触。本发明使用对称垂直双栅结构，增加了隧穿接触面积，减小隧穿势垒宽度，增大导通电流，阻挡层和延伸的栅电极有效抑制了器件的关态漏电，通过减小体硅厚度和使用High‑K栅介质可以改善亚阈值斜率。相比于目前的MOS器件的较大的亚阈值斜率，较大的泄露电流，本发明优势明显，适合用于小尺寸器件领域。