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公开(公告)号：CN107768304A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710700258.6
申请日：2017-08-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76816 , H01L21/76879 , H01L27/10891 , H01L21/76877 , H01L27/10844 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。
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公开(公告)号：CN110731003B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201880038116.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC: H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN105870119B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610085046.7
申请日：2016-02-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10891 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/30 , H01L21/28088 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L27/10823 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/40117
Abstract: 本发明涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WClx)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。
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公开(公告)号：CN118366851A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410253150.7
申请日：2018-04-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC: H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN110731003A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880038116.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC: H01L21/285 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105870119A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610085046.7
申请日：2016-02-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10891 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/30 , H01L21/28088 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L27/10823 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/40117 , H01L27/108 , H01L27/10844
Abstract: 本发明涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WClx)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。
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公开(公告)号：CN105280549A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510293342.1
申请日：2015-06-01
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/32135 , C23C16/045 , C23C16/14 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76865 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/76838
Abstract: 本文提供的是用无氟钨填充高深宽比的特征的方法，具体提供的是用于使用氯化钨反应剂沉积和蚀刻钨的方法和装置。该方法涉及使用氯化钨(WClx)作为前体和蚀刻剂两者。在一些实施方式中，在第一组条件下将所述衬底暴露于氯化钨(WClx)前体和还原剂以在衬底上的特征中沉积第一钨层；以及在第二组条件下将所述衬底暴露于WClx前体和所述还原剂以蚀刻所述第一钨层。根据各种实施方式，从沉积机制到蚀刻机制的转变可涉及增加WClx通量、降低温度、以及改变WClx前体中的一个或多个。还提供了相关的装置。
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公开(公告)号：CN118366852A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410253185.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC: H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN114678326A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210124989.1
申请日：2017-08-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。
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公开(公告)号：CN107768304B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201710700258.6
申请日：2017-08-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。
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