基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法

    公开(公告)号:CN107483012B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN201710858052.6

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本发明为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法,其中装置包括至少一个主机与多个从机,光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器,每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组,相邻四组光伏组件构成最小电压检测模型;在每个最小电压检测模型设置三个电压传感器和一个继电器以检测四组光伏组件串联后两端的电压;设置在每条串联支路上的电压传感器通过所述从机连接至所述主机,继电器的控制端与所述从机连接;设置在每条串联支路上的电流传感器与所述主机连接。本发明采用电压传感器复用技术,在复用处设置继电器,避免了检测盲区,简化了计算过程,能够用较少的传感器检测出故障位置。

    基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法

    公开(公告)号:CN107483012A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710858052.6

    申请日:2017-09-21

    CPC classification number: H02S50/10

    Abstract: 本发明为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置与方法,其中装置包括至少一个主机与多个从机,光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器,每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组,相邻四组光伏组件构成最小电压检测模型;在每个最小电压检测模型设置三个电压传感器和一个继电器以检测四组光伏组件串联后两端的电压;设置在每条串联支路上的电压传感器通过所述从机连接至所述主机,继电器的控制端与所述从机连接;设置在每条串联支路上的电流传感器与所述主机连接。本发明采用电压传感器复用技术,在复用处设置继电器,避免了检测盲区,简化了计算过程,能够用较少的传感器检测出故障位置。

    基于电压电流的光伏阵列故障检测装置

    公开(公告)号:CN207234734U

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201721213726.9

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本实用新型为基于电压电流的光伏阵列故障检测装置,包括至少一个主机与多个从机,光伏组件的每条串联支路上设有一个电流传感器和多个电压传感器,每条串联支路上的光伏组件以检测分辨率为单位被分为若干组,相邻四组光伏组件构成最小电压检测模型;在每个最小电压检测模型设置三个电压传感器和一个继电器以检测四组光伏组件串联后两端的电压;设置在每条串联支路上的电压传感器通过所述从机连接至所述主机,继电器的控制端与所述从机连接;设置在每条串联支路上的电流传感器与所述主机连接。本实用新型采用电压传感器复用技术,在复用处设置继电器,避免了检测盲区,简化了计算过程,能够用较少的传感器检测出故障位置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    基于ZigBee无线组网技术的企业能源管理信息采集系统及方法

    公开(公告)号:CN105976134B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201610396040.1

    申请日:2016-06-06

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于ZigBee无线组网技术的企业能源管理信息采集系统及方法,系统包括耗能表、多个RS485转TTL模块、多个的ZigBee终端节点、多个ZigBee路由节点、用于网络的建议及管理的ZigBee协调器以及服务器;每个耗能表连接一个RS485转TTL模块,每个RS485转TTL模块连接一个ZigBee终端节点,一个RS485转TTL模块和一个ZigBee终端节点共同构成ZigBee终端采集节点,在ZigBee协调器节点建立好网络后,ZigBee终端采集节点负责能耗数据的采集和转换,然后通过射频天线传送给ZigBee路由节点,再由ZigBee路由节点传送给ZigBee协调器,ZigBee协调器负责接收数据后通过USB转串口传输到服务器。本发明通过ZigBee无线组网技术实时采集耗能表的数据、监控耗能表的运行状况,在能表采集节点较多且分布较为密集的条件下具有无可比拟的优势。

    一种三方晶系硒薄膜的制备方法及其太阳电池

    公开(公告)号:CN115939234A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110986511.5

    申请日:2021-08-26

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种三方晶系硒薄膜的制备方法及其太阳电池。本发明通过热蒸发或热升华法,在衬底生长温度高于硒的固相与气相的相变温度点,即发生二次升华的条件下沉积,制得三方晶系硒薄膜;制备过程中,衬底生长温度为190℃~210℃,硒源温度为210~240℃,硒薄膜生长时间为10s~10min。本发明首次提出一种基于高温二次升华过程方法直接制备高质量三方晶系硒,无需进行二次重结晶过程,通过调控生长温度、生长时间以及生长气氛来控制硒薄膜的成核生长、晶粒生长、晶格取向,以获得物相单一、晶格取向可控和晶粒排列致密的高质量三方晶系硒薄膜,进而提高硒基太阳电池器件性能的技术。

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