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公开(公告)号：CN1780998A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011527.9
申请日：2004-04-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: F16K25/005 , C09K3/10 , C09K2200/0617 , C09K2200/0655 , C09K2200/0667 , C09K2200/067 , C09K2200/0682 , F16J15/122 , F16J2015/0856 , F16K27/00 , F17C5/06 , F17C7/00 , F17C13/04 , F17C2205/0329 , F17C2205/0338 , F17C2205/0341 , F17C2221/03 , F17C2221/05 , F17C2250/0443 , F17C2250/0626 , F17C2260/053 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明涉及用于供给高纯度氨气的设备和方法。本发明的目的是提供一种用于供给高纯度氨气的系统，在该系统中，适当地采用不会由于腐蚀产生颗粒并且不会导致在气体供给通路(例如气缸阀，压力调节器，压力计，质量流量控制器，线路阀和过滤器)内部形成腐蚀或反应产物的供给设备用于从气缸到生产设备的气体流路，由此在不恶化具有更高性能的半导体器件的纯度和生产的情况下实现高纯度氨气的更安全和更高效的供给。本发明用于供给高纯度氨气的设备包括密封部和/或气体接触部，该密封部和/或气体接触部包括无卤素树脂。供给高纯度氨气的气体流路是通过上述高纯度氨气供给设备构成的，并且由此能够在不恶化气体纯度的情况下将高纯度氨气供给到用于生产半导体器件的设备。
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公开(公告)号：CN100414150C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200480011527.9
申请日：2004-04-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: F16K25/005 , C09K3/10 , C09K2200/0617 , C09K2200/0655 , C09K2200/0667 , C09K2200/067 , C09K2200/0682 , F16J15/122 , F16J2015/0856 , F16K27/00 , F17C5/06 , F17C7/00 , F17C13/04 , F17C2205/0329 , F17C2205/0338 , F17C2205/0341 , F17C2221/03 , F17C2221/05 , F17C2250/0443 , F17C2250/0626 , F17C2260/053 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明涉及用于供给高纯度氨气的设备和方法。本发明的目的是提供一种用于供给高纯度氨气的系统，在该系统中，适当地采用不会由于腐蚀产生颗粒并且不会导致在气体供给通路(例如气缸阀，压力调节器，压力计，质量流量控制器，线路阀和过滤器)内部形成腐蚀或反应产物的供给设备用于从气缸到生产设备的气体流路，由此在不恶化具有更高性能的半导体器件的纯度和生产的情况下实现高纯度氨气的更安全和更高效的供给。本发明用于供给高纯度氨气的设备包括密封部和/或气体接触部，该密封部和/或气体接触部包括无卤素树脂。供给高纯度氨气的气体流路是通过上述高纯度氨气供给设备构成的，并且由此能够在不恶化气体纯度的情况下将高纯度氨气供给到用于生产半导体器件的设备。
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公开(公告)号：CN1833052A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022790.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24C1/06 , B24C1/086 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1662 , C23C18/1689 , C23C18/1696 , C23C18/1806 , C23C18/1834 , C23C18/1855 , C23C18/1882 , C23C18/2013 , C23C18/22 , C23C18/32 , C23C22/68 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C25D5/34 , C25D5/36 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D15/00 , C25D15/02 , Y10T428/31678
Abstract: 本文提供了一种生产带有黑膜的基质的方法，包括在基质表面上形成无光镀膜，在上述无光镀膜表面上形成含有硫或氮化合物的无电电镀膜，以及在上述无电电镀膜表面上形成黑膜。该带有黑膜的基质用于由于滑动或摩擦产生热或由于化学反应而产生/积累热的设备，例如半导体设备、真空设备、旋转设备和热交换器，并且黑膜具有优异的散热性能，其发射率为0.8或更大。该带有黑膜的基质对于卤素类腐蚀性气体具有耐蚀性并表现出优于得气体释放性能和在真空设备中的耐蚀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1609273A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410034732.9
申请日：2004-05-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C23C28/00
CPC classification number: C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345
Abstract: 本发明提供一种对于在半导体制造工艺等中应用的卤系的腐蚀性气体的耐腐蚀性优异、具有良好的氟化钝化层的耐久性、同时在使用时污染气体的产生少的耐腐蚀性材料及其制造方法。本发明的耐腐蚀性材料及其制造方法的特征在于，包含在金属等构成的基材的表面上形成的镍层或者镍合金层、在其表面上形成的氧化镍层、在氧化镍表面上形成的氟化镍层。
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公开(公告)号：CN1498328A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03800145.4
申请日：2003-02-13
Applicant: 昭和电工株式会社 , 小池酸素工业株式会社
CPC classification number: F23G7/065 , F23J2215/30
Abstract: 本发明涉及一种处理从刻蚀或清洗步骤排放的含有氟气或卤素氟化物气体的废气的方法，包括使该废气在燃烧室中燃烧，该燃烧室具有在其表面上形成的氟化物钝化膜。该方法用于处理从半导体制造工艺中排放的含有高浓度或大量氟气或卤素氟化物气体的废气，该方法是安全和节能的，并能以提高的效率进行废气的预处理。
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公开(公告)号：CN1833052B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200480022790.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24C1/06 , B24C1/086 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1662 , C23C18/1689 , C23C18/1696 , C23C18/1806 , C23C18/1834 , C23C18/1855 , C23C18/1882 , C23C18/2013 , C23C18/22 , C23C18/32 , C23C22/68 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C25D5/34 , C25D5/36 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D15/00 , C25D15/02 , Y10T428/31678
Abstract: 本文提供了一种生产带有黑膜的基质的方法，包括在基质表面上形成无光镀膜，在上述无光镀膜表面上形成含有硫或氮化合物的化学镀膜，以及在上述化学镀膜表面上形成黑膜。该带有黑膜的基质用于由于滑动或摩擦产生热或由于化学反应而产生/积累热的设备，例如半导体设备、真空设备、旋转设备和热交换器，并且黑膜具有优异的散热性能，其发射率为0.8或更大。该带有黑膜的基质对于卤素类腐蚀性气体具有耐蚀性并表现出优于得气体释放性能和在真空设备中的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN100392151C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410034732.9
申请日：2004-05-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C23C28/00
CPC classification number: C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345
Abstract: 本发明提供一种对于在半导体制造工艺等中应用的卤系的腐蚀性气体的耐腐蚀性优异、具有良好的氟化钝化层的耐久性、同时在使用时污染气体的产生少的耐腐蚀性材料及其制造方法。本发明的耐腐蚀性材料及其制造方法的特征在于，包含在金属等构成的基材的表面上形成的镍层或者镍合金层、在其表面上形成的氧化镍层、在氧化镍表面上形成的氟化镍层。
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公开(公告)号：CN1259524C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03800145.4
申请日：2003-02-13
Applicant: 昭和电工株式会社 , 小池酸素工业株式会社
CPC classification number: F23G7/065 , F23J2215/30
Abstract: 本发明涉及一种处理从刻蚀或清洗步骤排放的含有氟气或卤素氟化物气体的废气的方法，包括使该废气在燃烧室中燃烧，该燃烧室具有在其表面上形成的氟化物钝化膜。该方法用于处理从半导体制造工艺中排放的含有高浓度或大量氟气或卤素氟化物气体的废气，该方法是安全和节能的，并能以提高的效率进行废气的预处理。
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