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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1833052B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200480022790.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24C1/06 , B24C1/086 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1662 , C23C18/1689 , C23C18/1696 , C23C18/1806 , C23C18/1834 , C23C18/1855 , C23C18/1882 , C23C18/2013 , C23C18/22 , C23C18/32 , C23C22/68 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C25D5/34 , C25D5/36 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D15/00 , C25D15/02 , Y10T428/31678
Abstract: 本文提供了一种生产带有黑膜的基质的方法，包括在基质表面上形成无光镀膜，在上述无光镀膜表面上形成含有硫或氮化合物的化学镀膜，以及在上述化学镀膜表面上形成黑膜。该带有黑膜的基质用于由于滑动或摩擦产生热或由于化学反应而产生/积累热的设备，例如半导体设备、真空设备、旋转设备和热交换器，并且黑膜具有优异的散热性能，其发射率为0.8或更大。该带有黑膜的基质对于卤素类腐蚀性气体具有耐蚀性并表现出优于得气体释放性能和在真空设备中的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN113874550A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037913.4
申请日：2020-08-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性、特别是对酸的耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的第1含镍镀敷被膜层、在所述第1含镍镀敷被膜层形成的镀金被膜层、在所述镀金被膜层上形成的第2含镍镀敷被膜层、以及在所述第2含镍镀敷被膜层上形成的氟化镍被膜层。
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公开(公告)号：CN113874551A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037305.3
申请日：2020-07-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性、特别是对酸和高温蒸汽的耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的含镍镀敷被膜层、以及在所述含镍镀敷被膜层上形成的镀金被膜层，并且，所述镀金被膜层的针孔被厚度为15nm以上的钝态被膜封孔。
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公开(公告)号：CN113874549A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037980.6
申请日：2020-09-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的含镍镀敷被膜层、以及在所述含镍镀敷被膜层上形成的镀金被膜层，并且，所述镀金被膜层的针孔被厚度为8nm以上的氟化钝态被膜封孔。
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公开(公告)号：CN1833052A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022790.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24C1/06 , B24C1/086 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1662 , C23C18/1689 , C23C18/1696 , C23C18/1806 , C23C18/1834 , C23C18/1855 , C23C18/1882 , C23C18/2013 , C23C18/22 , C23C18/32 , C23C22/68 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C25D5/34 , C25D5/36 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D15/00 , C25D15/02 , Y10T428/31678
Abstract: 本文提供了一种生产带有黑膜的基质的方法，包括在基质表面上形成无光镀膜，在上述无光镀膜表面上形成含有硫或氮化合物的无电电镀膜，以及在上述无电电镀膜表面上形成黑膜。该带有黑膜的基质用于由于滑动或摩擦产生热或由于化学反应而产生/积累热的设备，例如半导体设备、真空设备、旋转设备和热交换器，并且黑膜具有优异的散热性能，其发射率为0.8或更大。该带有黑膜的基质对于卤素类腐蚀性气体具有耐蚀性并表现出优于得气体释放性能和在真空设备中的耐蚀性。
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