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公开(公告)号：CN113874551A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037305.3
申请日：2020-07-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性、特别是对酸和高温蒸汽的耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的含镍镀敷被膜层、以及在所述含镍镀敷被膜层上形成的镀金被膜层，并且，所述镀金被膜层的针孔被厚度为15nm以上的钝态被膜封孔。
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公开(公告)号：CN113874549A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037980.6
申请日：2020-09-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的含镍镀敷被膜层、以及在所述含镍镀敷被膜层上形成的镀金被膜层，并且，所述镀金被膜层的针孔被厚度为8nm以上的氟化钝态被膜封孔。
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公开(公告)号：CN113874550A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037913.4
申请日：2020-08-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可适用于半导体制造装置的构成部件且耐腐蚀性、特别是对酸的耐腐蚀性优异的金属材料。本发明涉及的层叠体具有金属基材、在所述金属基材上形成的第1含镍镀敷被膜层、在所述第1含镍镀敷被膜层形成的镀金被膜层、在所述镀金被膜层上形成的第2含镍镀敷被膜层、以及在所述第2含镍镀敷被膜层上形成的氟化镍被膜层。
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