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公开(公告)号：CN105895123B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610088013.8
申请日：2016-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/725
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录再现装置。提供可以有效地防止磁记录介质的表面污染、可以防止磁记录介质上存在的污染物质向磁头附着(转印)的磁记录介质和具备其的磁记录再现装置。将磁记录介质的碳保护层氮化，作为润滑剂，混合使用下述通式(1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的化合物B。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)。
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公开(公告)号：CN108570666B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810106378.8
申请日：2018-02-02
Abstract: 本发明提供薄膜制造装置及方法、磁盘和纳米压印用模具的制造方法，提高在工件的表面上进行制造的薄膜的膜特性。薄膜制造方法包括：将工件配置在腔内的步骤；在将腔内保持为规定的压力的状态下，向腔内供给工艺气体的步骤；向工件的表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的光，由此从工件的表面放出光电子的步骤；以及向工件的表面施加交流电场的步骤。这里，交流电场具有不发生辉光放电等离子体且发生汤逊放电的电场强度。此外，还公开了作为工件准备磁盘的半成品，在该半成品的表面上制造润滑膜的方法、以及作为工件准备纳米压印用模具的半成品，在该半成品的表面上制造脱模层的方法。
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公开(公告)号：CN101377929B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810212622.5
申请日：2008-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/725 , G11B5/8408
Abstract: 存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法。根据一个实施方式的一个方面，一种存储装置包括存储介质，该存储介质具有基板、存储信息的存储介质层、在该存储介质层的第一区域上的第一润滑层，以及在该存储介质层的第二区域上的第二润滑层，该第二润滑层的粘度低于第一润滑层。该存储装置还包括用于将信息写入存储介质层或从存储介质层读取信息的读写头。
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公开(公告)号：CN105632520B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510818080.6
申请日：2015-11-23
Applicant: 昭和电工株式会社 , 日本原子力研究开发机构
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质，包括非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
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公开(公告)号：CN101377930B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810213348.3
申请日：2008-08-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B7/228 , Y10T29/49025 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明涉及用于制造存储介质的方法。根据实施方式的一个方面，一种用于制造存储介质的方法包括以下步骤：提供引导组件及用于形成存储介质的介质板组件；以及设置所述介质板组件及所述引导组件，使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近，并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面。该方法还包括以下步骤：将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上；以及将所述引导组件上的所述抛光组件滑动到所述介质板组件上，以对所述介质板组件的表面进行抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112102852A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010531584.0
申请日：2020-06-11
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。
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公开(公告)号：CN106548791B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610806763.4
申请日：2016-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 对于本发明的磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层(4)侧的最表面含有碳和50原子％～90原子％的范围内的氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有下式(1)～(3)的化合物A～C，膜厚为0.5～2nm。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(2)HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)sCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(3)。
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公开(公告)号：CN106548791A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610806763.4
申请日：2016-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 对于本发明的磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层(4)侧的最表面含有碳和50原子％～90原子％的范围内的氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有下式(1)～(3)的化合物A～C，膜厚为0.5～2nm。R1-C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2-R2-CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(2)HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)sCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(3)。
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公开(公告)号：CN112102852B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010531584.0
申请日：2020-06-11
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。
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公开(公告)号：CN108570666A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810106378.8
申请日：2018-02-02
Abstract: 本发明提供薄膜制造装置及方法、磁盘和纳米压印用模具的制造方法，提高在工件的表面上进行制造的薄膜的膜特性。薄膜制造方法包括：将工件配置在腔内的步骤；在将腔内保持为规定的压力的状态下，向腔内供给工艺气体的步骤；向工件的表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的光，由此从工件的表面放出光电子的步骤；以及向工件的表面施加交流电场的步骤。这里，交流电场具有不发生辉光放电等离子体且发生汤逊放电的电场强度。此外，还公开了作为工件准备磁盘的半成品，在该半成品的表面上制造润滑膜的方法、以及作为工件准备纳米压印用模具的半成品，在该半成品的表面上制造脱模层的方法。
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