公开(公告)号：CN106548791B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610806763.4

申请日：2016-09-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 山川荣进 ,  藤克昭 ,  早濑冴子

IPC: G11B5/725 ,  G11B5/71 ,  G11B5/851

Abstract: 对于本发明的磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层(4)侧的最表面含有碳和50原子％～90原子％的范围内的氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有下式(1)～(3)的化合物A～C，膜厚为0.5～2nm。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(2)HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)sCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(3)。

公开(公告)号：CN106548791A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610806763.4

申请日：2016-09-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 山川荣进 ,  藤克昭 ,  早濑冴子

IPC: G11B5/725 ,  G11B5/71 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B19/28 ,  G11B5/72 ,  G11B5/725 ,  G11B21/106 ,  G11B5/71 ,  G11B5/851

Abstract: 对于本发明的磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层(4)侧的最表面含有碳和50原子％～90原子％的范围内的氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有下式(1)～(3)的化合物A～C，膜厚为0.5～2nm。R1-C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2-R2-CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(2)HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)sCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥(3)。