公开(公告)号：CN103492338A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018685.1

申请日：2012-04-13

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 冈畑直树 ,  广松邦明 ,  中川浩司

IPC: C03C23/00 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22

CPC classification number: C03C21/001 ,  C03C3/087 ,  C03C15/00 ,  C03C21/007 ,  C03C2203/54

Abstract: 在短时间内有效地制得具有折射率低的性能优异的低折射率层的玻璃基体。在将玻璃基体的玻璃化转变温度设为Tg的情形下，在该玻璃基体的温度为400℃～Tg＋60℃的范围内，通过使含有结构中存在氟原子的分子的气体或液体与运送中的玻璃基体接触来进行所述表面处理而制造玻璃基体。

公开(公告)号：CN104936923A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201480004902.0

申请日：2014-01-08

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 宫下纯一 ,  白井正信 ,  米道友广 ,  远藤健朗 ,  近藤裕己 ,  广松邦明

IPC: C03C17/34 ,  C03B25/08 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

CPC classification number: C03B25/08 ,  C03C3/087 ,  C03C17/002 ,  C03C17/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种带层积膜玻璃基板的制造方法，它是使用具备熔融玻璃原料的熔融炉、使熔融玻璃浮在熔融金属上而对玻璃带进行成形的浮法锡槽、和对所述玻璃带进行退火的退火炉的玻璃制造装置，通过CVD法用设置在所述退火炉内的多个喷射器在所述玻璃带上形成层积膜，将所述玻璃带切断的带层积膜玻璃基板的制造方法；其特征在于，上述层积膜由2层以上的层构成，上述玻璃基板的形变温度Ts(℃)在550℃以上，在将上述玻璃基板的玻璃化温度设为Tg(℃)时，所述层积膜在Tg以下形成，在形成上述层积膜的全部层的温度范围内的上述玻璃带的每单位长度的下降温度K1为0℃/m＜K1＜10℃/m。

公开(公告)号：CN104010980A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280064655.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 笹井淳 ,  近藤裕己 ,  中原阳 ,  广松邦明 ,  林英明

IPC: C03B18/02 ,  C03B18/08 ,  C03C3/087

CPC classification number: C03B18/18 ,  C03B18/02 ,  C03C3/087 ,  C03C4/0085 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，具有(a)在铁浓度为100ppm以上的熔融锡上，通过成形粘度η(dPa·s)的对数为2时温度T2为1500℃以下的熔融玻璃，得到粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4在1100℃以下，150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ在8.8以上的玻璃带的步骤；和(b)将前述玻璃带冷却至室温，得到玻璃基板的步骤。

公开(公告)号：CN103842307A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047009.7

申请日：2012-09-28

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 笹井淳 ,  近藤裕己 ,  林英明 ,  广松邦明 ,  中原阳 ,  加藤利通 ,  山本雄一 ,  G·迪斯特法诺 ,  土屋博之

IPC: C03C3/076 ,  B32B17/06 ,  C03C3/083 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C17/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: C03C3/087 ,  C03C3/095 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/94

Abstract: 本发明提供透明导电膜的自碱金属阻挡膜的剥离得到了抑制的带透明导电膜的玻璃板和透明导电膜形成用玻璃板。带透明导电膜的玻璃板是自玻璃板12侧依次具有碱金属阻挡膜14和透明导电膜16的带透明导电膜的玻璃板10，玻璃板12以氧化物基准的质量百分比计，包含SiO2:60～75％、Al2O3:0～3％、CaO:0～15％、MgO:0～12％、Na2O:5～20％、K2O+SrO+BaO:1.1～15％、换算为Fe2O3计的全铁:0～0.06％。

公开(公告)号：CN102399048A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010284335.2

申请日：2010-09-14

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 广松邦明 ,  伊贺元一

IPC: C03B18/02 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C3/083 ,  C03C3/087 ,  C03C3/089

CPC classification number: C03B18/18

Abstract: 本发明提供可以使TFT-LCD制造时将阵列侧浮法玻璃与彩色滤光片侧基板贴合时所发生的图案错位减小的浮法玻璃的制造方法。一种浮法玻璃的制造方法，通过向熔融锡上连续供给熔融玻璃，将该熔融玻璃进行拉伸得到带状玻璃，使该带状玻璃与熔融锡分离，然后进行切割来制造浮法玻璃，其中，设浮法玻璃的玻璃化转变点为TG，则与熔融锡分离时的带状玻璃的温度T0为(TG-50℃)～(TG+30℃)。

公开(公告)号：CN103492338B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201280018685.1

申请日：2012-04-13

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 冈畑直树 ,  广松邦明 ,  中川浩司

IPC: C03C23/00 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22

CPC classification number: C03C21/001 ,  C03C3/087 ,  C03C15/00 ,  C03C21/007 ,  C03C2203/54

Abstract: 在短时间内有效地制得具有折射率低的性能优异的低折射率层的玻璃基体。在将玻璃基体的玻璃化转变温度设为Tg的情形下，在该玻璃基体的温度为400℃～Tg＋60℃的范围内，通过使含有结构中存在氟原子的分子的气体或液体与运送中的玻璃基体接触来进行所述表面处理而制造玻璃基体。

公开(公告)号：CN103649003B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280034422.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 广松邦明 ,  白井正信 ,  宫下纯一 ,  米道友广 ,  远藤健朗

IPC: C03C17/34

CPC classification number: C03C17/2456 ,  C03B25/08 ,  C03C17/002 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/46

Abstract: 将与玻璃带相对的各喷射器的相对面的面积S(m2)设定为满足S≤(0.0116×P×Cg×T)/{ε×F×σ(Tgla4?Tinj4)}。上式中，P为玻璃带的流量(吨/天)，Cg为玻璃的比热(J/(kg·℃))，T为从1个喷射器的入口到出口被冷却的玻璃带的允许下降温度(℃)，ε为辐射率，F为面对面的形状系数，σ为玻尔兹曼常数(5.67×10?8(W/m2·K4))，Tgla为使用以与K型热电偶接触的方式测定喷射器入口的玻璃带温度而得到的测定值Tin和以与K型热电偶接触的方式测定喷射器出口的玻璃带温度而得到的测定值Tout并用K＝(Tin+Tout)/2表示的玻璃带的温度(K)，Tinj为喷射器的相对面温度(K)。

公开(公告)号：CN104812717A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061391.1

申请日：2013-11-25

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 关淳志 ,  西田航 ,  广松邦明

IPC: C03C17/245 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L31/0392 ,  H02S40/22

CPC classification number: C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/1525 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/545 ,  H01L31/0392 ,  H02S40/22 ,  Y02E10/52

Abstract: 对从浮法锡浴出来的退火过程中的平板玻璃，使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO2薄膜时的成膜速度的改善。一种SiO2薄膜的形成方法，它是一种使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO2薄膜的方法，其特征在于，作为原料气体供给方式，使用分别供给作为主原料气体的含有甲硅烷SiH4的操作气体1和作为副原料气体的含有氧O2的操作气体2，使所述操作气体1、2在玻璃基板上混合的后混合方式的原料供给装置；所述甲硅烷SiH4的每单位宽度的流量为1.0NL/分钟·米以上，所述操作气体1以与甲硅烷SiH4的浓度比C2H4(摩尔％)/SiH4(摩尔％)在3.2以下的量的条件含有乙烯C2H4。

公开(公告)号：CN103781737A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280042971.1

申请日：2012-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 林英明 ,  箕轮明久 ,  关淳志 ,  东诚二 ,  广松邦明 ,  冈畑直树

IPC: C03C17/245 ,  B32B9/04 ,  B32B17/00 ,  C03C17/34 ,  C23C16/40 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/401 ,  C03C17/2456 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/94 ,  C23C16/029 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0392 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供碱金属阻挡性优异的带碱金属阻挡层的玻璃基板。本发明是一种带碱金属阻挡层的基板，其是在玻璃基板上形成有碱金属阻挡层的带碱金属阻挡层的玻璃基板，其特征在于，所述碱金属阻挡层由硅(Si)和锡(Sn)的混合氧化物构成。

公开(公告)号：CN103649003A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280034422.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 广松邦明 ,  白井正信 ,  宫下纯一 ,  米道友广 ,  远藤健朗

IPC: C03C17/34

CPC classification number: C03C17/2456 ,  C03B25/08 ,  C03C17/002 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/46

Abstract: 将与玻璃带相对的各喷射器的相对面的面积S(m2)设定为满足S≤(0.0116×P×Cg×T)/{ε×F×σ(Tgla4-Tinj4)}。上式中，P为玻璃带的流量(吨/天)，Cg为玻璃的比热(J/(kg·℃))，T为从1个喷射器的入口到出口被冷却的玻璃带的允许下降温度(℃)，ε为辐射率，F为面对面的形状系数，σ为玻尔兹曼常数(5.67×10-8(W/m2·K4))，Tgla为使用以与K型热电偶接触的方式测定喷射器入口的玻璃带温度而得到的测定值Tin和以与K型热电偶接触的方式测定喷射器出口的玻璃带温度而得到的测定值Tout并用K＝(Tin+Tout)/2表示的玻璃带的温度(K)，Tinj为喷射器的相对面温度(K)。