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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104936922A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005022.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C17/245 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: C03C17/245 , C03C17/002 , C03C17/2453 , C03C17/3417 , C03C2217/94 , C03C2218/1525 , H01L31/0392 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 一种具有层叠膜的玻璃基板，层叠膜通过CVD法利用设置于缓冷炉内的多个喷射器形成于玻璃带上。将玻璃化转变温度设为Tg、将玻璃应变温度设为Ts的情况下，层叠膜在Tg+50℃以下形成，并且层叠膜中的至少两个以上的层在从Tg+50℃至Ts的温度区域内形成。另外，形成层叠膜的所有层的温度区域中玻璃带的每单位长度的下降温度K1为0℃/m＜K1＜10℃/m，层叠膜包含电阻率为4.7×10-4Ω·cm以下且载流子浓度为2.5×1020cm-3以上的氟掺杂的氧化锡层。
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公开(公告)号：CN104812717A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061391.1
申请日：2013-11-25
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C17/245 , C23C16/42 , C23C16/44 , H01L31/0392 , H02S40/22
CPC classification number: C03C17/245 , C03C2217/213 , C03C2218/1525 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/45514 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L31/0392 , H02S40/22 , Y02E10/52
Abstract: 对从浮法锡浴出来的退火过程中的平板玻璃，使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO2薄膜时的成膜速度的改善。一种SiO2薄膜的形成方法，它是一种使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO2薄膜的方法，其特征在于，作为原料气体供给方式，使用分别供给作为主原料气体的含有甲硅烷SiH4的操作气体1和作为副原料气体的含有氧O2的操作气体2，使所述操作气体1、2在玻璃基板上混合的后混合方式的原料供给装置；所述甲硅烷SiH4的每单位宽度的流量为1.0NL/分钟·米以上，所述操作气体1以与甲硅烷SiH4的浓度比C2H4(摩尔％)/SiH4(摩尔％)在3.2以下的量的条件含有乙烯C2H4。
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公开(公告)号：CN103781737A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280042971.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/401 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/23 , C03C2217/94 , C23C16/029 , H01L31/022475 , H01L31/0392 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供碱金属阻挡性优异的带碱金属阻挡层的玻璃基板。本发明是一种带碱金属阻挡层的基板，其是在玻璃基板上形成有碱金属阻挡层的带碱金属阻挡层的玻璃基板，其特征在于，所述碱金属阻挡层由硅(Si)和锡(Sn)的混合氧化物构成。
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公开(公告)号：CN105745354B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480063059.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/40 , C03C17/245
CPC classification number: C23C16/405 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/73 , C03C2217/77 , C03C2218/1525 , C09D1/00
Abstract: 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。
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公开(公告)号：CN105745354A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063059.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C16/40 , C03C17/245
CPC classification number: C23C16/405 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/73 , C03C2217/77 , C03C2218/1525 , C09D1/00
Abstract: 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。
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