公开(公告)号：CN105745354A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480063059.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 岩冈启明 ,  关淳志 ,  长南宏佑 ,  臼井玲大 ,  铃木俊夫 ,  安部朋美

IPC: C23C16/40 ,  C03C17/245

CPC classification number: C23C16/405 ,  C03C17/2456 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/73 ,  C03C2217/77 ,  C03C2218/1525 ,  C09D1/00

Abstract: 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。

公开(公告)号：CN105745354B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480063059.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 岩冈启明 ,  关淳志 ,  长南宏佑 ,  臼井玲大 ,  铃木俊夫 ,  安部朋美

IPC: C23C16/40 ,  C03C17/245

CPC classification number: C23C16/405 ,  C03C17/2456 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/73 ,  C03C2217/77 ,  C03C2218/1525 ,  C09D1/00

Abstract: 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。

公开(公告)号：CN104936922A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201480005022.5

申请日：2014-01-14

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 岩冈启明 ,  长南宏佑 ,  关淳志

IPC: C03C17/245 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C03C17/245 ,  C03C17/002 ,  C03C17/2453 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/94 ,  C03C2218/1525 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种具有层叠膜的玻璃基板，层叠膜通过CVD法利用设置于缓冷炉内的多个喷射器形成于玻璃带上。将玻璃化转变温度设为Tg、将玻璃应变温度设为Ts的情况下，层叠膜在Tg+50℃以下形成，并且层叠膜中的至少两个以上的层在从Tg+50℃至Ts的温度区域内形成。另外，形成层叠膜的所有层的温度区域中玻璃带的每单位长度的下降温度K1为0℃/m＜K1＜10℃/m，层叠膜包含电阻率为4.7×10-4Ω·cm以下且载流子浓度为2.5×1020cm-3以上的氟掺杂的氧化锡层。