公开(公告)号：CN104812717A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061391.1

申请日：2013-11-25

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 关淳志 ,  西田航 ,  广松邦明

IPC: C03C17/245 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L31/0392 ,  H02S40/22

CPC classification number: C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/1525 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/545 ,  H01L31/0392 ,  H02S40/22 ,  Y02E10/52

Abstract: 对从浮法锡浴出来的退火过程中的平板玻璃，使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO2薄膜时的成膜速度的改善。一种SiO2薄膜的形成方法，它是一种使用在线常压CVD法在玻璃基板上形成SiO2薄膜的方法，其特征在于，作为原料气体供给方式，使用分别供给作为主原料气体的含有甲硅烷SiH4的操作气体1和作为副原料气体的含有氧O2的操作气体2，使所述操作气体1、2在玻璃基板上混合的后混合方式的原料供给装置；所述甲硅烷SiH4的每单位宽度的流量为1.0NL/分钟·米以上，所述操作气体1以与甲硅烷SiH4的浓度比C2H4(摩尔％)/SiH4(摩尔％)在3.2以下的量的条件含有乙烯C2H4。

公开(公告)号：CN105473525A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046808.1

申请日：2014-06-13

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 铃木祐一 ,  三浦丈宜 ,  涩谷崇 ,  西田航 ,  世良洋一

IPC: C03C21/00 ,  C03C3/087

CPC classification number: C03C3/087 ,  C03C17/002 ,  C03C17/245 ,  C03C21/002 ,  C03C2217/213

Abstract: 本发明涉及一种减小玻璃基板的翘曲的方法，其通过在利用浮法成形且具有成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少一层膜，从而减小之后的化学强化处理所导致的玻璃基板的翘曲，其中，所述玻璃基板为利用硝酸钾熔盐在420℃下进行150分钟化学强化处理时的压应力层深度为20μm以下的玻璃基板，所述膜含有至少一种以上包含硅的氧化物及复合氧化物，且膜厚为17nm以上。