-
公开(公告)号：CN102102182A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010584455.4
申请日：2010-12-07
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其在通过溅射法形成配线膜的过程中，一边抑制由溅射导致的异常放电，一边可实现高速成膜。溅射靶材由在4N(99.99％)以上的无氧铜中添加了银的铜合金形成。微量添加银，使得所形成膜的电阻率与无氧铜的电阻率等同。银的添加量优选为200～2000ppm的范围。
-
公开(公告)号：CN102315276A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110152098.9
申请日：2011-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , C23C14/06 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料，旨在提高硅器件的饱和迁移率特性。一种在硅半导体膜上具有P掺杂n+型非晶硅膜和在该P掺杂n+型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n+型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。
-
公开(公告)号：CN101728357A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910139400.X
申请日：2009-05-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种配线结构和配线结构的制造方法，其不仅能够获得与硅的欧姆接合而且可以抑制元素向硅中扩散。本发明的配线结构(1a)具备硅层(10)、设置于硅层(10)上的由添加有锰(Mn)的铜合金构成的基底层(20)和设置于基底层(20)上的铜层(30)，Mn在包括硅层(10)和基底层(20)的界面的区域富集化从而形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。
-
公开(公告)号：CN101728357B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910139400.X
申请日：2009-05-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种配线结构和配线结构的制造方法，其不仅能够获得与硅的欧姆接合而且可以抑制元素向硅中扩散。本发明的配线结构(1a)具备硅层(10)、设置于硅层(10)上的由添加有锰(Mn)的铜合金构成的基底层(20)和设置于基底层(20)上的铜层(30)，Mn在包括硅层(10)和基底层(20)的界面的区域富集化从而形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。
-
公开(公告)号：CN103173729A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210570188.4
申请日：2012-12-25
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法。本发明在获得高成膜速度的同时，在含高熔点金属的膜上形成由低电阻的纯铜构成的溅射膜。本发明的溅射用铜靶材由纯度3N以上的无氧铜形成，溅射面中的（111）面的取向率为13%以上30%以下，溅射面中的（200）面的取向率为10%以上50%以下，平均结晶粒径为0.1mm以上0.2mm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728358B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910141770.7
申请日：2009-05-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76867 , H01L21/76841 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供可获得对硅的欧姆接合的同时、抑制元素向硅中的扩散的配线结构及配线结构的制造方法。本发明的配线结构(1a)，其具有硅层(10)、和设置于硅层(10)上的、由添加了镍(Ni)的铜合金构成的衬底层(20)、和设置于衬底层(20)上的铜层(30)，使Ni在包含硅层(10)和衬底层(20)之间的界面在内的区域富集，由此形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。
-
公开(公告)号：CN101906552A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198841.X
申请日：2010-06-04
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C22C28/00 , C22C9/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 一种Cu-Ga合金，溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法。包括多个相，由重量百分比至少为40％、至多为60％的镓(Ga)以及由铜和无法避免的杂质组成的剩余部分所构成。所述的多个相包括含有重量百分比至少为80％镓(Ga)的偏析相，所述偏析相的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不超过1％。所述的多个相包括含有重量百分比至少为40％、至多为60％镓(Ga)的微粒，所述的微粒的直径至少为0.1μm、至多30μm，所述微粒的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不低于90％。
-
公开(公告)号：CN101728358A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910141770.7
申请日：2009-05-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76867 , H01L21/76841 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供可获得对硅的欧姆接合的同时、抑制元素向硅中的扩散的配线结构及配线结构的制造方法。本发明的配线结构(1a)，其具有硅层(10)、和设置于硅层(10)上的、由添加了镍(Ni)的铜合金构成的衬底层(20)、和设置于衬底层(20)上的铜层(30)，使Ni在包含硅层(10)和衬底层(20)之间的界面在内的区域富集，由此形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。
-
公开(公告)号：CN103094352A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210440979.5
申请日：2012-11-02
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/283 , G09F9/33 , C23C14/34
Abstract: 在薄膜晶体管(TFT)的配线中使用Cu合金的情况下，在对由硅膜构成的半导体层进行氧化处理时产生TFT的移动度的降低，另外，在使Cu合金与由氧化物半导体膜构成的半导体层接触而进行加热时，存在发生亚阈值系数的增加及阈值电压的负位移，TFT成为正常接通动作的问题。本发明提供薄膜晶体管，其在基板上具备：栅极绝缘膜、Si系半导体层、具有Cu合金层的源/漏电极、以及在所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面形成的氧化物膜，其特征在于，所述Cu合金层含有Cu和至少一种添加元素，所述氧化物膜中的氧的原子浓度的深度分布的峰值为40原子％以上且66原子％以下，并且，在将距所述氧的原子浓度的峰值的或距所述源电极及漏电极和所述Si系半导体层的界面的氧的分布成为10原子％的距离定义为所述氧化物膜的膜厚时，所述氧化物膜的膜厚为1.8nm以下。
-
公开(公告)号：CN102816996A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210284852.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185
Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件（成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等），就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明涉及的用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.021 seconds)
