公开(公告)号：CN101906552A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010198841.X

申请日：2010-06-04

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 平本雄一 ,  外木达也

IPC: C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C1/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C28/00 ,  C22C9/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Cu-Ga合金，溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法。包括多个相，由重量百分比至少为40％、至多为60％的镓(Ga)以及由铜和无法避免的杂质组成的剩余部分所构成。所述的多个相包括含有重量百分比至少为80％镓(Ga)的偏析相，所述偏析相的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不超过1％。所述的多个相包括含有重量百分比至少为40％、至多为60％镓(Ga)的微粒，所述的微粒的直径至少为0.1μm、至多30μm，所述微粒的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不低于90％。