公开(公告)号：CN108886029A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021592.7

申请日：2017-03-10

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 藤野伸一 ,  久保木誉 ,  川井胜

IPC: H01L23/34 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/34 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明能够提高插入至盒体的半导体电路的散热性。本发明为一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体具备：散热部，其在内侧具有与半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕接触面，而且形成得比散热部薄；以及下凹部，其形成于薄壁部与散热部之间，而且相对于接触面而言下凹，并且，下凹部的内侧的面在盒体的厚度方向上配置在接触面与薄壁部的内侧的面之间。

公开(公告)号：CN111052584A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880054762.6

申请日：2018-07-09

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 久保木誉 ,  河原敬二 ,  金野雄志

IPC: H02M7/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的课题在于抑制功率半导体装置的散热性能的降低并提高生产率。本发明的功率半导体装置的制造方法涉及的功率半导体装置具备：导电构件，其具有第1表面以及设置在该第1表面的相反侧的第2表面；以及功率半导体元件，其经由接合材料与所述导电构件连接，该功率半导体装置的制造方法包括：第1工序，以如下方式冲压该导体构件：按压所述第1表面的一部分并保留与该第1表面齐平的部分而形成凹部，在所述第2表面形成凸部；第2工序，将所述功率半导体元件配置在所述凸部的顶面，且配置成与所述第1表面的所述凹部以及未形成该凹部的部分相对，并经由所述接合材料连接该凸部与所述功率半导体元件；以及第3工序，所述至少在所述凹部中填充密封材料。

公开(公告)号：CN107078659A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056726.X

申请日：2015-10-07

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 高木佑辅 ,  志村隆弘 ,  久保木誉 ,  松下晃

IPC: H02M7/48

CPC classification number: B60H1/00914 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/473 ,  H01L23/492 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H05K7/20927

Abstract: 本发明的目的为在不使生产效率变低的情况下抑制冷却介质绕到非冷却部。本发明的电力转换装置包括功率半导体组件、和形成有配置上述功率半导体组件的流路和与该流路相连的开口的流路形成体，上述功率半导体组件在一个面上形成第一散热片，在隔着上述半导体元件与上述一个面相对的另一个面上形成第二散热片，上述流路形成体具有以将上述第一散热片夹在中间的方式配置的第一冷却介质抑制部和第二冷却介质抑制部，上述第一冷却介质抑制部和上述第二冷却介质抑制部以与上述功率半导体组件的没有形成上述第一散热片的区域重叠的方式形成，设置有沿着上述第一冷却介质抑制部和上述第二冷却介质抑制部形成的第一流路。