公开(公告)号：CN109690741A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780048056.6

申请日：2017-06-09

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 井上惠介 ,  近藤俊辅 ,  大塚祐哉

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为用于研磨至少包含阻挡金属、金属膜和二氧化硅膜的基板或至少包含阻挡金属、金属膜、二氧化硅膜和low-k膜的基板的CMP用研磨液，所述研磨液含有研磨粒子、氧化金属溶解剂、氧化剂、水溶性高分子和碱金属离子，研磨时的所述研磨粒子和所述金属膜的表面电位为相同符号，所述研磨粒子的表面电位(mV)和所述金属膜的表面电位(mV)的乘积为250～10000，所述研磨液的pH为7.0～11.0。

公开(公告)号：CN103339219B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201280006424.8

申请日：2012-01-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 南久贵 ,  井上惠介 ,  吉川知里 ,  野村豊 ,  岩野友洋

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的CMP研磨液包含水及磨粒，磨粒含有复合粒子，所述复合粒子含有包含第1粒子的核心和设置于该核心上的第2粒子，第1粒子含有二氧化硅，第2粒子含有氢氧化铈，CMP研磨液的pH为9.5以下。

公开(公告)号：CN103339219A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006424.8

申请日：2012-01-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 南久贵 ,  井上惠介 ,  吉川知里 ,  野村豊 ,  岩野友洋

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的CMP研磨液包含水及磨粒，磨粒含有复合粒子，所述复合粒子含有包含第1粒子的核心和设置于该核心上的第2粒子，第1粒子含有二氧化硅，第2粒子含有氢氧化铈，CMP研磨液的pH为9.5以下。