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公开(公告)号：CN111095489B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201880058972.2
申请日：2018-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H01L21/301 , H01G4/30 , H01L21/683
Abstract: 提供一种芯片部件的制造方法，能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理，并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有：将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体片的一部分一起进行切断的工序、将切断后的生坯片等中的至少虚设部与载体片的一部分一起进行剥离从而将多个芯片残留于载体片上的工序、以及在将多个芯片保持于载体片的状态下，对通过剥离而露出来的多个芯片的侧面部至少实施表面处理的工序。
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公开(公告)号：CN111095489A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058972.2
申请日：2018-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H01L21/301 , H01G4/30 , H01L21/683
Abstract: 提供一种芯片部件的制造方法，能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理，并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有：将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体片的一部分一起进行切断的工序、将切断后的生坯片等中的至少虚设部与载体片的一部分一起进行剥离从而将多个芯片残留于载体片上的工序、以及在将多个芯片保持于载体片的状态下，对通过剥离而露出来的多个芯片的侧面部至少实施表面处理的工序。
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公开(公告)号：CN116250078B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280006442.X
申请日：2022-01-21
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/08
Abstract: 框部(120)由陶瓷构成，具有第一面(SF1)和第二面(SF2)。第二面(SF2)具有包围空腔(CV)的内缘和包围内缘的外缘(EO)。基板部(110)由陶瓷构成，具有第三面(SF3)，该第三面具有支承框部(120)的第二面(SF2)的部分和面向空腔(CV)的部分。电极层(200)设置于基板部(110)的第三面(SF3)上。过孔电极(510)具有：在第一面(SF1)具有直径DA的端面(SFA)；和在第二面(SF2)与电极层(200)相接且具有比直径DA小的直径DB的底面(SFB)。在俯视下过孔电极的底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并且满足LO＞LI。
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公开(公告)号：CN114867699B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180006937.8
申请日：2021-11-29
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: C04B35/119 , H01L23/15 , C04B37/02 , H05K1/03
Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包含氧化铝、氧化锆和含有二氧化硅以及氧化镁的玻璃成分，并在表面侧具备具有镁的浓度峰值的结合层部，在与结合层部相邻的内部侧具备镁的浓度比结合层部小的内层部。
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公开(公告)号：CN114026968A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080047926.X
申请日：2020-12-09
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/09
Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116715512A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310527850.6
申请日：2019-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/117 , C04B35/622 , H01L23/08 , H01L23/15
Abstract: 一种陶瓷坯体，其包含Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，包含Mo和Cr2O3中的至少一者作为任意成分。在陶瓷坯体中，Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，以MoO3换算计的Mo的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，剩余部分的含量小于0.1质量％。
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公开(公告)号：CN116250078A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202280006442.X
申请日：2022-01-21
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/08
Abstract: 框部(120)由陶瓷构成，具有第一面(SF1)和第二面(SF2)。第二面(SF2)具有包围空腔(CV)的内缘和包围内缘的外缘(EO)。基板部(110)由陶瓷构成，具有第三面(SF3)，该第三面具有支承框部(120)的第二面(SF2)的部分和面向空腔(CV)的部分。电极层(200)设置于基板部(110)的第三面(SF3)上。过孔电极(510)具有：在第一面(SF1)具有直径DA的端面(SFA)；和在第二面(SF2)与电极层(200)相接且具有比直径DA小的直径DB的底面(SFB)。在俯视下过孔电极的底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并且满足LO＞LI。
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公开(公告)号：CN114026968B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080047926.X
申请日：2020-12-09
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/09
Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
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公开(公告)号：CN117595822A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310974062.1
申请日：2023-08-04
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
Abstract: 本发明提供一种封装体。第一过孔电极(511)沿第一中心轴(AX1)延伸，并具有位于框部(120)的第一面(SF1)且远离腔室(CV)的第一端面(SFA)和位于框部(120)内的第一底面(SFJ)。第二过孔电极(512)沿第二中心轴(AX2)延伸，并具有在框部(120)内与第一过孔电极(511)的第一底面(SFJ)电连接的第二端面(SFK)和在框部(120)的第二面(SF2)与基板电极层(200)相接的第二底面(SFB)。在俯视下第二过孔电极(512)的第二底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘(EI)的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并满足LO＞LI。第一中心轴(AX1)相比于第二中心轴(AX2)，更远离框部(120)的内缘(EI)。
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公开(公告)号：CN116917255A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202180094868.0
申请日：2021-04-12
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包括：氧化铝；及玻璃成分，含有二氧化硅和锰，所述陶瓷烧结体在表面侧具有结合层，该结合层具有Mn的浓度的峰值，所述结合层的深度方向上的Mn的峰值相对于Si的峰值的比例为1.0～7.0。
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