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公开(公告)号：CN101026366A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078706.X
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: 本发明可提高压电薄膜器件的特性。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)包含不能单独承受自重的压电体薄膜(111)，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)。作为构成压电薄膜器件(111)的压电体材料，最好是从水晶、铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、氧化锌、铌酸钾以及硅酸镓镧中选择的、不包含晶粒边界的单晶材料。
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公开(公告)号：CN101026365A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078708.9
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。
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公开(公告)号：CN101026365B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200710078708.9
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。
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公开(公告)号：CN101026367A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078707.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可防止热膨胀之差引起的特性变动或破损。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，虽然通过对可单独承受自重的压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但作为底座基板13以及压电体基板，采用同种单晶材料的基板，使热膨胀系数在压电体薄膜(111)以及底座基板(13)中一致。
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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886368B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN111094638B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN111094638A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN105830237B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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公开(公告)号：CN107002286B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201580065227.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在结晶层3的与主面3a、3b垂直的截面处，存在载流子浓度为1×1018/cm3以上的高载流子浓度区域10和载流子浓度为9×1017/cm3以下的低载流子浓度区域9，低载流子浓度区域9为细长的形状，低载流子浓度区域9具有缔合部11，低载流子浓度区域9在一对主面3a、3b之间连续。
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