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公开(公告)号：CN1381872A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02106424.5
申请日：2002-02-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/455 , C23C16/45591 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置,它包括一种水平管式反应器,配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分,其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧,这样改变气流方向为倾斜向下的方向,或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样,即使在大尺寸基片,或多个基片同时,或在高温下进行化学汽相沉积的情况下,可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。
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公开(公告)号：CN1259450C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN01141203.8
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速，或者，在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证，既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下，都可得到高质量的晶体，而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积。
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公开(公告)号：CN1214447C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN02106424.5
申请日：2002-02-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/455 , C23C16/45591 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧，这样改变气流方向为倾斜向下的方向，或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样，即使在大尺寸基片，或多个基片同时，或在高温下进行化学汽相沉积的情况下，可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。
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公开(公告)号：CN1392595A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02122659.8
申请日：2002-06-18
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45587 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406 , H01J37/3244
Abstract: 公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。
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公开(公告)号：CN1237576C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN01142538.5
申请日：2001-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4404 , C23C16/4481
Abstract: 本发明公开了一种气化器，其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成；还公开了一种气化供给装置，其包括气化器和冷却器，其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成；与气化器外侧接触的进料口由金属构成；可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口，该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时，能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料，且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184671C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00137392.7
申请日：2000-12-07
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/02 , B01J4/00 , C23C16/44
CPC classification number: B01D19/0031 , B01D19/0005
Abstract: 这里公开了一种供应液体原材料的方法，其中除去液体原材料中的气体，并从液体原材料容器向液流控制部分供应液体原材料，该方法包括：使通过第一惰性气体的压力从液体原材料容器供应的液体原材料，在透气合成树脂管中通过，使对合成树脂管的渗透率比第一惰性气体低的第二惰性气体沿所说合成树脂管的外表面通过，从而溶于液体原材料的第一惰性气体能够渗透到合成树脂管外，然后将液体原材料供应到液流控制部分。还公开了一种用于该方法的供应液体原材料的设备。本发明可以保证利用液体原材料的半导体制造期间，可以容易且有效地去除溶于液体原材料中的惰性气体。
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公开(公告)号：CN1356718A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01142538.5
申请日：2001-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4404 , C23C16/4481
Abstract: 本发明公开了一种气化器,其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成;还公开了一种气化供给装置,其包括气化器和冷却器,其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成;与气化器外侧接触的进料口由金属构成;可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口,该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时,能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料,且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。
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公开(公告)号：CN1344817A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141203.8
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , NPS株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积
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公开(公告)号：CN1219605A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98120573.9
申请日：1998-09-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B01J4/008 , B01D1/16 , B01D3/346 , C23C16/4481 , C23C16/4486 , Y10S261/65
Abstract: 一种材料的汽化和供给装置,其中在控制的流速下将用于CVD的液体材料引入到汽化器内,通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化,通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于CVD的液体材料提供到制造半导体的CVD装置时,在汽化中材料的浓度容易控制,根据材料流速的变化快速改变气体内材料的浓度,不会发生材料的分解,不会限制CVD装置的工作条件。
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公开(公告)号：CN1346692A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01140985.1
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: B01D53/72
Abstract: 本发明涉及一种用于净化有害气体的方法,其包括将一种含有作为有害成分的有机硅化合物的有害气体与净化剂相接触,该有机硅化合物用通式表示为:CH2CH－SiR3、CH2CH－Si(OR)3、CH2CHCH2－SiR3或CH2CHCH2－Si(OR)3,其中R为饱和的烃基团或芳族化合物基团,该净化剂包括附着有至少一种选自溴、碘、金属溴化物和金属碘化物的物质的活性炭,该金属溴化物和金属碘化物中的金属可以是Cu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Al和Sn。本发明还涉及一种组成如上所述的净化剂。该净化方法和净化剂使得可通过使用干法净化方法除去从半导体生产过程中排出的有害气体。
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