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公开(公告)号：CN1259450C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN01141203.8
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速，或者，在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证，既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下，都可得到高质量的晶体，而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积。
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公开(公告)号：CN1392595A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02122659.8
申请日：2002-06-18
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45587 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406 , H01J37/3244
Abstract: 公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。
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公开(公告)号：CN1344817A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141203.8
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , NPS株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积
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