公开(公告)号：CN1381872A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02106424.5

申请日：2002-02-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  德岛酸素工业株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  王宏兴 ,  石滨义康 ,  网岛丰

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置,它包括一种水平管式反应器,配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分,其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧,这样改变气流方向为倾斜向下的方向,或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样,即使在大尺寸基片,或多个基片同时,或在高温下进行化学汽相沉积的情况下,可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。

公开(公告)号：CN1259450C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN01141203.8

申请日：2001-09-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  德岛酸素工业株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  直井弘之 ,  H·X·王 ,  石滨义康 ,  纲岛丰

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45568 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速，或者，在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证，既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下，都可得到高质量的晶体，而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积。

公开(公告)号：CN1214447C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN02106424.5

申请日：2002-02-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  德岛酸素工业株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  王宏兴 ,  石滨义康 ,  网岛丰

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧，这样改变气流方向为倾斜向下的方向，或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样，即使在大尺寸基片，或多个基片同时，或在高温下进行化学汽相沉积的情况下，可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。

公开(公告)号：CN1392595A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02122659.8

申请日：2002-06-18

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  德岛酸素工业株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  王宏兴 ,  小宫由直 ,  吴羽羚儿 ,  石滨义康 ,  纲岛丰

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45587 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406 ,  H01J37/3244

Abstract: 公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。

公开(公告)号：CN1344817A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01141203.8

申请日：2001-09-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  NPS株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  直井弘之 ,  H·X·王 ,  石滨义康 ,  纲岛丰

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45568 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积

公开(公告)号：CN1316546A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01111233.6

申请日：2001-03-08

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  NPS株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  北原宏一 ,  高松勇吉 ,  森勇次

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。还公开了一种使用上述化学汽相淀积设备的化学汽相淀积方法。