公开(公告)号：CN1392595A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02122659.8

申请日：2002-06-18

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  德岛酸素工业株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  王宏兴 ,  小宫由直 ,  吴羽羚儿 ,  石滨义康 ,  纲岛丰

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45587 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406 ,  H01J37/3244

Abstract: 公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。