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公开(公告)号：CN1356718A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01142538.5
申请日：2001-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4404 , C23C16/4481
Abstract: 本发明公开了一种气化器,其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成;还公开了一种气化供给装置,其包括气化器和冷却器,其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成;与气化器外侧接触的进料口由金属构成;可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口,该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时,能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料,且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。
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公开(公告)号：CN1219605A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98120573.9
申请日：1998-09-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B01J4/008 , B01D1/16 , B01D3/346 , C23C16/4481 , C23C16/4486 , Y10S261/65
Abstract: 一种材料的汽化和供给装置,其中在控制的流速下将用于CVD的液体材料引入到汽化器内,通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化,通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于CVD的液体材料提供到制造半导体的CVD装置时,在汽化中材料的浓度容易控制,根据材料流速的变化快速改变气体内材料的浓度,不会发生材料的分解,不会限制CVD装置的工作条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1237576C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN01142538.5
申请日：2001-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4404 , C23C16/4481
Abstract: 本发明公开了一种气化器，其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成；还公开了一种气化供给装置，其包括气化器和冷却器，其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成；与气化器外侧接触的进料口由金属构成；可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口，该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时，能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料，且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。
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公开(公告)号：CN1184671C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00137392.7
申请日：2000-12-07
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/02 , B01J4/00 , C23C16/44
CPC classification number: B01D19/0031 , B01D19/0005
Abstract: 这里公开了一种供应液体原材料的方法，其中除去液体原材料中的气体，并从液体原材料容器向液流控制部分供应液体原材料，该方法包括：使通过第一惰性气体的压力从液体原材料容器供应的液体原材料，在透气合成树脂管中通过，使对合成树脂管的渗透率比第一惰性气体低的第二惰性气体沿所说合成树脂管的外表面通过，从而溶于液体原材料的第一惰性气体能够渗透到合成树脂管外，然后将液体原材料供应到液流控制部分。还公开了一种用于该方法的供应液体原材料的设备。本发明可以保证利用液体原材料的半导体制造期间，可以容易且有效地去除溶于液体原材料中的惰性气体。
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公开(公告)号：CN1110582C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN98120573.9
申请日：1998-09-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B01J4/008 , B01D1/16 , B01D3/346 , C23C16/4481 , C23C16/4486 , Y10S261/65
Abstract: 一种材料的汽化和供给装置，其中在控制的流速下将用于CVD的液体材料引入到汽化器内，通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化，通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于CVD的液体材料提供到制造半导体的CVD装置时，在汽化中材料的浓度容易控制，根据材料流速的变化快速改变气体内材料的浓度，不会发生材料的分解，不会限制CVD装置的工作条件。
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公开(公告)号：CN1303125A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00137392.7
申请日：2000-12-07
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/02 , B01J4/00 , C23C16/44
CPC classification number: B01D19/0031 , B01D19/0005
Abstract: 这里公开了一种供应液体原材料的方法,其中除去液体原材料中的气体,并从液体原材料容器向液流控制部分供应液体原材料,该方法包括:使通过第一惰性气体的压力从液体原材料容器供应的液体原材料,在透气合成树脂管中通过,使对合成树脂管的渗透率比第一惰性气体低的第二惰性气体沿所说合成树脂管的外表面通过,从而溶于液体原材料的第一惰性气体能够渗透到合成树脂管外,然后将液体原材料供应到液流控制部分。还公开了一种用于该方法的供应液体原材料的设备。本发明可以保证利用液体原材料的半导体制造期间,可以容易且有效地去除溶于液体原材料中的惰性气体。
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公开(公告)号：CN1249268A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN98124326.6
申请日：1998-09-29
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: C01B21/00
Abstract: 公开一种用化学汽相淀积法制造氮化膜的方法,其中所用氮源材料气毒性较小,有足够高的汽化压力,能在较低温度分解,因而能制成高质量薄膜,生长温度降低,提高了生长速度。用包含以叔－丁基联氨为氮源主要成分的材料气与有机金属化合物,金属卤化物或金属氢化物的材料气反应在衬底上制成氮化膜。而且可用包含叔－丁基联氨作为氮源主要成份的材料气使包含金属或金属氧化物的衬底表面氮化而制造氮化膜。
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