公开(公告)号：CN113574043A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080019703.2

申请日：2020-03-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  吉田丰之郎 ,  佐佐卓

IPC: C07C41/34 ,  C07C43/13 ,  C07C69/16 ,  C07C67/48

Abstract: 提供在半导体装置制造中的光刻工序中，成为晶片上的微小缺陷的原因的、金属杂质被减少了的有机溶剂的制造方法、或减少被精制有机溶剂中金属的方法。一种有机溶剂的制造方法，包含向金属除去用过滤筒进行通液的工序，所述金属除去用过滤筒是在中空状内筒层叠或卷绕有多个种类的过滤用基布的过滤筒，所述金属除去用过滤筒的特征在于，所述过滤用基布为在聚烯烃纤维上化学结合有金属吸附基团的无纺布，所述过滤用基布包含无纺布层A和无纺布层B，所述无纺布层A由化学结合有磺酸基作为金属吸附基团的聚烯烃纤维构成，所述无纺布层B由化学结合有选自氨基、N‑甲基‑D‑葡糖胺基、亚氨基二乙酸基、亚氨基二乙醇基、偕胺肟基、磷酸基、羧酸基和乙二胺三乙酸基中的至少一种作为金属吸附基团的聚烯烃纤维构成。

公开(公告)号：CN116348208B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202180069636.X

申请日：2021-10-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  佐佐卓

IPC: H01L21/304 ,  B05D7/24 ,  B05D3/10 ,  B05D1/40

Abstract: 本发明提供一种实用上有效的晶片表面的外周部呈环状露出的带有功能膜的晶片的制造方法，在带有功能膜的晶片的制造方法中，即使将高粘度涂布型材料用作包含功能膜构成成分的涂布型材料的情况下，也将晶片的表面的外周部的功能膜去除干净，经去除的功能膜的端面具有良好的形状，能形成平坦的功能膜，而且在晶片的斜面部、背面也没有由涂膜残留引起的污垢。一种带有功能膜的晶片的制造方法，所述晶片的表面的外周部呈环状露出，所述制造方法包括：工序(A)，在晶片的表面旋涂包含功能膜构成成分的高粘度涂布型材料，形成涂膜；工序(B－1)，在所述工序(A)之后，一边使所述晶片旋转，一边向形成有所述涂膜的所述晶片的表面的外周部供给清洗液，去除所述晶片的表面的外周部的所述涂膜；工序(C)，在所述工序(B－1)之后，对所述晶片上的所述涂膜进行加热，形成抑制了涂膜的流动性的流动性抑制膜；工序(D－1)，在所述工序(C)之后，一边使所述晶片旋转，一边向形成有所述流动性抑制膜的所述晶片的表面的外周部供给清洗液，去除所述晶片的表面的所述流动性抑制膜；以及工序(E)，在所述工序(D－1)之后，对所述晶片上的所述流动性抑制膜进行加热，使所述功能膜构成成分发挥功能，制成功能膜。

公开(公告)号：CN116348208A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180069636.X

申请日：2021-10-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  佐佐卓

IPC: B05D1/40

Abstract: 本发明提供一种实用上有效的晶片表面的外周部呈环状露出的带有功能膜的晶片的制造方法，在带有功能膜的晶片的制造方法中，即使将高粘度涂布型材料用作包含功能膜构成成分的涂布型材料的情况下，也将晶片的表面的外周部的功能膜去除干净，经去除的功能膜的端面具有良好的形状，能形成平坦的功能膜，而且在晶片的斜面部、背面也没有由涂膜残留引起的污垢。一种带有功能膜的晶片的制造方法，所述晶片的表面的外周部呈环状露出，所述制造方法包括：工序(A)，在晶片的表面旋涂包含功能膜构成成分的高粘度涂布型材料，形成涂膜；工序(B－1)，在所述工序(A)之后，一边使所述晶片旋转，一边向形成有所述涂膜的所述晶片的表面的外周部供给清洗液，去除所述晶片的表面的外周部的所述涂膜；工序(C)，在所述工序(B－1)之后，对所述晶片上的所述涂膜进行加热，形成抑制了涂膜的流动性的流动性抑制膜；工序(D－1)，在所述工序(C)之后，一边使所述晶片旋转，一边向形成有所述流动性抑制膜的所述晶片的表面的外周部供给清洗液，去除所述晶片的表面的所述流动性抑制膜；以及工序(E)，在所述工序(D－1)之后，对所述晶片上的所述流动性抑制膜进行加热，使所述功能膜构成成分发挥功能，制成功能膜。

公开(公告)号：CN115989571A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052076.7

申请日：2021-09-06

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  佐佐卓 ,  藤谷德昌

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。

公开(公告)号：CN113226511A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980082879.X

申请日：2019-12-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  吉田丰之郎 ,  佐佐卓

IPC: B01D36/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  B01D15/00 ,  B01J20/22 ,  B01J20/28

Abstract: 本发明涉及一种包含向过滤器滤芯通液的工序的光刻用涂布膜形成用组合物的制造方法，所述过滤器滤芯的特征在于：其为多种过滤用基布层叠了的过滤器滤芯或多种过滤用基布卷绕于中空状内筒的过滤器滤芯，所述过滤用基布是在聚烯烃纤维上化学键合有金属吸附基的无纺布，所述过滤用基布包含无纺布层A和无纺布层B，所述无纺布层A由化学键合有作为金属吸附基的磺酸基的聚烯烃纤维制成，所述无纺布层B由化学键合有作为金属吸附基的选自氨基、N‑甲基‑D‑葡糖胺基、亚氨基二乙酸基、亚氨基二乙醇基、偕胺肟基、磷酸基、羧酸基和乙二胺三乙酸基中的至少一种基团的聚烯烃纤维制成。根据该制造方法，能够降低成为晶片上的微小缺陷的原因的金属杂质。