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公开(公告)号：CN115989571A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052076.7
申请日：2021-09-06
Applicant: 日产化学株式会社
Inventor： 大桥智也 , 佐佐卓 , 藤谷德昌
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。
