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    发光装置的制造方法和发光装置
    1.
    发明授权
    发光装置的制造方法和发光装置 有权

    公开(公告)号：CN114902435B

    公开(公告)日：2025-05-13

    申请号：CN202080090057.9

    申请日：2020-12-23

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 三贺大辅

    IPC: H10H20/857 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H01L21/60 ,  H10H20/01

    Abstract: 本发明一实施方式涉及一种发光装置的制造方法，包含将在同一面侧具备p侧电极(31)和n侧电极(32)的发光元件(30)设置在基材(10)上的工序。特别是，在本发明的一实施方式中，依次包含：在所述基材(10)上，形成正极侧的配线晶种层(11)和负极侧的配线晶种层(12)的步骤；在所述基材(10)上的载置有所述发光元件(30)的区域内形成抗蚀图案(20)的至少一部分的步骤；以所述p侧电极(31)和所述正极侧的配线晶种层(11)分隔对置，并且所述n侧电极(32)和所述负极侧的配线晶种层(12)分隔对置的方式，将所述发光元件(30)载置于所述抗蚀图案(20)上的步骤；以所述抗蚀图案(20)为掩膜，对所述正极侧的配线晶种层(11)和与该正极侧的配线晶种层(11)分隔配置的所述p侧电极(31)之间、以及所述负极侧的配线晶种层(12)和与该负极侧的配线晶种层(12)分隔配置的所述n侧电极(32)之间进行电镀接合的步骤；除去所述抗蚀图案(20)的步骤。

    半导体元件
    3.
    发明授权
    半导体元件 失效

    公开(公告)号：CN100459189C

    公开(公告)日：2009-02-04

    申请号：CN200480034097.2

    申请日：2004-11-15

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 市原隆志 ,  三贺大辅 ,  楠濑健 ,  山田孝夫

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2933/0091

    Abstract: 本发明涉及半导体元件及其制造方法，该半导体元件具有：具有相对置的一对主面的基板(11)；层叠在基板(11)的一方主面上的第一传导型半导体层；层叠在第一传导型半导体层上的第二传导型半导体层；形成于第一传导型半导体层与第二传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于第二传导型半导体层上，反射从活性层(14)朝向第二传导型半导体层的光的反射层(16)。该氮化物半导体发光元件将上述基板11的另一方的主面作为主光取出面可以安装在布线基板上。再者，在反射层(16)与第二传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在透光性导电层(17)与反射层(16)的界面形成有凹凸面(22)。

    发光装置
    4.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN116682913A

    公开(公告)日：2023-09-01

    申请号：CN202310518235.9

    申请日：2018-06-29

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 大黑真一 ,  三贺大辅

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075

    Abstract: 本发明提供一种发光装置，使发光单元单独发光的分割性良好。本发明的发光装置具有：多个发光单元；第一绝缘层；布线电极；第二电极；所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。另外，本发明的发光装置也可以具有：多个发光单元；第一绝缘层；第一电极；布线电极；所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。

    发光装置及其制造方法
    5.
    发明公开
    发光装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109216513A

    公开(公告)日：2019-01-15

    申请号：CN201810695181.2

    申请日：2018-06-29

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 大黑真一 ,  三贺大辅

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L25/075

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法，使发光单元单独发光的分割性良好。发光装置的制造方法包括：准备将第一半导体层与第二半导体层层压的半导体层压体的第1A工序(SA1)、将到达第一半导体层的槽部设为行列状且形成多个发光单元的第2A工序(SA2)、在各发光单元中使第一半导体层的一部分从第二半导体层露出的第3A工序(SA3)、在发光单元及槽部形成具有第一孔的第一绝缘层的第4A工序(SA4)、形成通过第一孔与各发光单元的第一半导体层导通的布线电极的第5A工序(SA5)、在第一绝缘层形成第二孔的第6A工序(SA6)、在各发光单元形成通过第二孔与第二半导体层导通的第二电极的第7A工序(SA7)、除去第一半导体层而不到达槽部的第一绝缘层的第8A工序(SA8)、以及在槽部的位置使第一绝缘层从第一半导体层露出且使第一半导体层表面粗糙化的第9A工序(SA9)。

    发光装置及其制造方法
    6.
    发明公开
    发光装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108428776A

    公开(公告)日：2018-08-21

    申请号：CN201810145129.X

    申请日：2018-02-12

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 多留木统 ,  三贺大辅

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法，该发光装置亮度更高。发光装置的制造方法包括：准备工序，其准备从上面侧依次具有包含多层配线的电极结构(17)、与电极结构(17)电连接的半导体层(12)、以及半导体层(12)的生长基板(11)的晶片(10)；接合工序，其将晶片(10)与支承基板(20)接合；露出工序，其从与支承基板(20)接合的晶片(10)上除去生长基板(11)，使半导体层(12)露出；分离工序，其通过在晶片(10)的半导体层(12)侧的表面形成槽(13)而将半导体层(12)分离成多个发光元件部(14)；形成工序，其在多个发光元件部(14)的表面涂布溶剂中含有荧光体粒子的浆料，形成涂布膜，并且使涂布膜中的溶剂挥发，由此而形成覆盖发光元件部(14)的表面的荧光体层(40)。

    发光装置及其制造方法
    8.
    发明授权
    发光装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109216513B

    公开(公告)日：2023-05-23

    申请号：CN201810695181.2

    申请日：2018-06-29

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 大黑真一 ,  三贺大辅

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L25/075

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法，使发光单元单独发光的分割性良好。发光装置的制造方法包括：准备将第一半导体层与第二半导体层层压的半导体层压体的第1A工序(SA1)、将到达第一半导体层的槽部设为行列状且形成多个发光单元的第2A工序(SA2)、在各发光单元中使第一半导体层的一部分从第二半导体层露出的第3A工序(SA3)、在发光单元及槽部形成具有第一孔的第一绝缘层的第4A工序(SA4)、形成通过第一孔与各发光单元的第一半导体层导通的布线电极的第5A工序(SA5)、在第一绝缘层形成第二孔的第6A工序(SA6)、在各发光单元形成通过第二孔与第二半导体层导通的第二电极的第7A工序(SA7)、除去第一半导体层而不到达槽部的第一绝缘层的第8A工序(SA8)、以及在槽部的位置使第一绝缘层从第一半导体层露出且使第一半导体层表面粗糙化的第9A工序(SA9)。

    发光装置的制造方法和发光装置
    9.
    发明公开
    发光装置的制造方法和发光装置 有权

    公开(公告)号：CN114902435A

    公开(公告)日：2022-08-12

    申请号：CN202080090057.9

    申请日：2020-12-23

    Applicant: 日亚化学工业株式会社

    Inventor： 三贺大辅

    IPC: H01L33/62 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明一实施方式涉及一种发光装置的制造方法，包含将在同一面侧具备p侧电极(31)和n侧电极(32)的发光元件(30)设置在基材(10)上的工序。特别是，在本发明的一实施方式中，依次包含：在所述基材(10)上，形成正极侧的配线晶种层(11)和负极侧的配线晶种层(12)的步骤；在所述基材(10)上的载置有所述发光元件(30)的区域内形成抗蚀图案(20)的至少一部分的步骤；以所述p侧电极(31)和所述正极侧的配线晶种层(11)分隔对置，并且所述n侧电极(32)和所述负极侧的配线晶种层(12)分隔对置的方式，将所述发光元件(30)载置于所述抗蚀图案(20)上的步骤；以所述抗蚀图案(20)为掩膜，对所述正极侧的配线晶种层(11)和与该正极侧的配线晶种层(11)分隔配置的所述p侧电极(31)之间、以及所述负极侧的配线晶种层(12)和与该负极侧的配线晶种层(12)分隔配置的所述n侧电极(32)之间进行电镀接合的步骤；除去所述抗蚀图案(20)的步骤。

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