发光装置的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111490134B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202010076080.4

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 提供一种小型的发光装置,并且可靠性高的发光装置的制造方法。发光装置的制造方法包括:准备中间体的工序,该中间体具备在第1面侧具备一对电极的发光元件、以及覆盖发光元件、以使得一对电极的表面的一部分露出的第1覆盖构件;形成金属膏层的工序,该金属膏层连续地覆盖所露出的一对电极和第1覆盖构件;以及形成一对布线的工序,对一对电极上的金属膏层以及第1覆盖构件上的金属膏层照射激光,并除去一对电极之间的金属膏层以及第1覆盖构件上的金属膏层的一部分,使得一对电极不短路。

    发光装置及其制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109216513B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN201810695181.2

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法,使发光单元单独发光的分割性良好。发光装置的制造方法包括:准备将第一半导体层与第二半导体层层压的半导体层压体的第1A工序(SA1)、将到达第一半导体层的槽部设为行列状且形成多个发光单元的第2A工序(SA2)、在各发光单元中使第一半导体层的一部分从第二半导体层露出的第3A工序(SA3)、在发光单元及槽部形成具有第一孔的第一绝缘层的第4A工序(SA4)、形成通过第一孔与各发光单元的第一半导体层导通的布线电极的第5A工序(SA5)、在第一绝缘层形成第二孔的第6A工序(SA6)、在各发光单元形成通过第二孔与第二半导体层导通的第二电极的第7A工序(SA7)、除去第一半导体层而不到达槽部的第一绝缘层的第8A工序(SA8)、以及在槽部的位置使第一绝缘层从第一半导体层露出且使第一半导体层表面粗糙化的第9A工序(SA9)。

    发光装置、发光模块以及发光装置和发光模块的制造方法

    公开(公告)号:CN111129273A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911043315.3

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供一种发光装置、发光模块以及发光装置和发光模块的制造方法,能够实现小型化且能够可靠、稳定地进行外部连接。发光装置具备:发光元件(2),其在同一面侧设有一对电极柱(2c);覆盖部件(3),其覆盖发光元件(2)的电极面(2b),且设有电极柱(2c)的露出部;一对电极层(5),其设于覆盖部件的表面并与电极柱(2c)的露出部电连接;一对电极端子(6),其设于各个电极层(5)的表面,一对电极端子的面积比一对电极柱(2c)的面积大,且一对电极端子的外周缘配置在覆盖部件(3)的端部;绝缘性部件(17),其设于一对电极端子(6)之间,且与电极端子(6)的侧面接触。

    发光装置
    4.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119451365A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411616710.7

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 提供一种小型的发光装置,并且可靠性高的发光装置。发光装置包括:封装件,具备发光元件、第1透光性构件、一对电极以及第1覆盖构件,其中所述发光元件具有第1面及与所述第1面相反的第2面,所述第1透光性构件配置在所述发光元件的所述第2面侧,所述一对电极设置在所述发光元件的所述第1面侧,所述第1覆盖构件覆盖所述发光元件,以使得所述一对电极露出;导光板,在该导光板配置所述封装件;第2覆盖构件,覆盖所述导光板上且覆盖所述封装件的侧方;和一对布线,连续地覆盖露出的所述一对电极和所述第1覆盖构件,且与所述一对电极分别连接,所述一对布线是树脂和金属粉的混合物且具有导电性,所述一对电极之间具有激光的照射光点。

    发光装置、发光模块、发光装置以及发光模块的制造方法

    公开(公告)号:CN111129259A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911042628.7

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供小型化且可靠稳定地进行外部连接的发光装置、发光模块、发光装置以及发光模块的制造方法。发光装置具备:在同一面侧设有一对电极柱(2c)的发光元件(2);覆盖部件(3),其覆盖发光元件(2)的电极面(2b),并且设有电极柱(2c)的露出部;一对电极层(5),其设于覆盖部件(3)的表面而电连接于电极柱(2c)的露出部;以及一对电极端子(6),其电连接于电极层(5),并且设于覆盖部件(3)的表面,一对电极端子(6)比电极层(5)厚,并且以比一对电极柱(2c)的间隔宽的间隔配置。

    发光装置、发光模块以及发光装置和发光模块的制造方法

    公开(公告)号:CN111129273B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN201911043315.3

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供一种发光装置、发光模块以及发光装置和发光模块的制造方法,能够实现小型化且能够可靠、稳定地进行外部连接。发光装置具备:发光元件(2),其在同一面侧设有一对电极柱(2c);覆盖部件(3),其覆盖发光元件(2)的电极面(2b),且设有电极柱(2c)的露出部;一对电极层(5),其设于覆盖部件的表面并与电极柱(2c)的露出部电连接;一对电极端子(6),其设于各个电极层(5)的表面,一对电极端子的面积比一对电极柱(2c)的面积大,且一对电极端子的外周缘配置在覆盖部件(3)的端部;绝缘性部件(17),其设于一对电极端子(6)之间,且与电极端子(6)的侧面接触。

    发光装置、发光模块、发光装置以及发光模块的制造方法

    公开(公告)号:CN111129259B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN201911042628.7

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供小型化且可靠稳定地进行外部连接的发光装置、发光模块、发光装置以及发光模块的制造方法。发光装置具备:在同一面侧设有一对电极柱(2c)的发光元件(2);覆盖部件(3),其覆盖发光元件(2)的电极面(2b),并且设有电极柱(2c)的露出部;一对电极层(5),其设于覆盖部件(3)的表面而电连接于电极柱(2c)的露出部;以及一对电极端子(6),其电连接于电极层(5),并且设于覆盖部件(3)的表面,一对电极端子(6)比电极层(5)厚,并且以比一对电极柱(2c)的间隔宽的间隔配置。

    发光装置
    8.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116682913A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310518235.9

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明提供一种发光装置,使发光单元单独发光的分割性良好。本发明的发光装置具有:多个发光单元;第一绝缘层;布线电极;第二电极;所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间,从所述第一半导体层露出,所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。另外,本发明的发光装置也可以具有:多个发光单元;第一绝缘层;第一电极;布线电极;所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间,从所述第一半导体层露出,所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。

    发光装置的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111490134A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010076080.4

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 提供一种小型的发光装置,并且可靠性高的发光装置的制造方法。发光装置的制造方法包括:准备中间体的工序,该中间体具备在第1面侧具备一对电极的发光元件、以及覆盖发光元件、以使得一对电极的表面的一部分露出的第1覆盖构件;形成金属膏层的工序,该金属膏层连续地覆盖所露出的一对电极和第1覆盖构件;以及形成一对布线的工序,对一对电极上的金属膏层以及第1覆盖构件上的金属膏层照射激光,并除去一对电极之间的金属膏层以及第1覆盖构件上的金属膏层的一部分,使得一对电极不短路。

    发光装置及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109216513A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201810695181.2

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法,使发光单元单独发光的分割性良好。发光装置的制造方法包括:准备将第一半导体层与第二半导体层层压的半导体层压体的第1A工序(SA1)、将到达第一半导体层的槽部设为行列状且形成多个发光单元的第2A工序(SA2)、在各发光单元中使第一半导体层的一部分从第二半导体层露出的第3A工序(SA3)、在发光单元及槽部形成具有第一孔的第一绝缘层的第4A工序(SA4)、形成通过第一孔与各发光单元的第一半导体层导通的布线电极的第5A工序(SA5)、在第一绝缘层形成第二孔的第6A工序(SA6)、在各发光单元形成通过第二孔与第二半导体层导通的第二电极的第7A工序(SA7)、除去第一半导体层而不到达槽部的第一绝缘层的第8A工序(SA8)、以及在槽部的位置使第一绝缘层从第一半导体层露出且使第一半导体层表面粗糙化的第9A工序(SA9)。

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