公开(公告)号：CN104282552A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310279389.3

申请日：2013-07-03

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面形成间隔的凹槽；在所述凹槽内填充第二或第一导电类型的半导体材料以形成通道，其中所述通道的导电类型与所述衬底的导电类型不同；在所述衬底的第一表面上键合形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104253033A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310258539.2

申请日：2013-06-25

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  黄璇

IPC: H01L21/306 ,  C30B33/10

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/30604

Abstract: 一种半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法。其中，所述半导体晶圆背面工艺包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆的正面贴膜；利用物理机械磨削工艺对所述半导体晶圆的背面进行机械减薄；对进行过机械减薄的半导体晶圆进行浸泡式腐蚀。本发明提供的半导体晶圆背面工艺中，在对半导体晶圆进行的浸泡式腐蚀中，对所述半导体晶圆背面各处的腐蚀量都是一致的，膜的拉力引起的半导体晶圆的变化对被各处腐蚀量没有影响，能够保证腐蚀后半导体晶圆厚度的均匀性，同时释放应力，能够避免半导体晶圆在剥膜后不发生翘曲，避免半导体晶圆在后续流通中发生碎片，保证晶圆后续工艺的正常流通。

公开(公告)号：CN104425259B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201310392737.8

申请日：2013-09-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  芮强

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其通过激光扫描工艺对衬底的背面进行平坦化工艺形成P型和N型间隔结构，激光扫描工艺可以只对需要退火的背面结构进行工艺，从而解决反向导通绝缘栅双极型晶体管的正面结构限制背面退火温度不能太高的问题，改善反向导通绝缘栅双极型晶体管的背面结构中N型和P型杂质激活效率不高现象，提高反向导通绝缘栅双极型晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104425253A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389832.2

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出场截止层；向场截止层注入第一掺杂类型的离子；在N型硅片表面光刻并腐蚀出多个凹槽；向凹槽内填充第二掺杂类型的硅，在N型硅片表面形成背面PN交隔结构；在背面PN交隔结构表面形成氧化层；提供衬底，并将衬底与N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底进行减薄至氧化层；湿法腐蚀去除氧化层；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明将N型硅片与衬底键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，减少了对专用薄片流通设备的需求，降低了成本。

公开(公告)号：CN104425250A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389640.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成导电层；在所述导电层的表面形成间隔的凹槽；在所述凹槽内填充第二导电类型或第一导电类型的半导体材料以形成通道；在所述导电层和通道上形成氧化层；在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;减薄所述半导体晶片，并将减薄后的半导体晶片作为漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；去除所述衬底半导体晶片；去除所述氧化层；在所述通道和导电层上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104299900A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310295844.9

申请日：2013-07-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  王根毅 ,  芮强 ,  黄璇

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333

Abstract: 一种场截止型绝缘栅双极晶体管器件的制备方法，在衬底上外延生长形成重掺杂的N型外延层作为场截止层，接着在场截止层注入N型杂质，然后外延生长形成轻掺杂的N型外延层作为耐压层，接着进行常规正面工艺，然后进行背面减薄工艺，接着在背部注入P型杂质并退火形成P型集电区，然后进行常规背面金属化工艺。采用本方法，生产周期较短，且不需要昂贵的高能离子注入设备和激光退火设备，可以按器件需求控制场截止层厚度和杂质浓度，并使减薄工艺难度降低，既提高了器件性能，也降低了工艺难度。本方法对衬底选取较自由，可选择成本较低的衬底。

公开(公告)号：CN104282553A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310281979.X

申请日：2013-07-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面形成间隔的凹槽；在所述凹槽内填充第二或第一导电类型的半导体材料以形成通道，其中所述通道的导电类型与所述衬底的导电类型不同；在所述衬底的第一表面上外延形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104282555B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201310289822.1

申请日：2013-07-11

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  王根毅 ,  邓小社 ,  芮强

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第一主面形成第一导电类型的离子注入层；在所述半导体衬底的第一主面外延形成第一导电类型的漂移区；将所述离子注入层形成场终止层；基于所述漂移区形成所述绝缘栅双极性晶体管的第一主面结构；自所述半导体衬底的第二主面开始减薄所述半导体衬底直到露出所述场终止层；在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极性晶体管的剩余第二主面结构。本发明不需要专用设备，现有NPT生产设备就可以完成整个流程。

公开(公告)号：CN104425256A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310390703.5

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和刻蚀在衬底的一面形成凹槽结构；向凹槽内填充第二掺杂类型的硅，在衬底表面形成背面PN交隔结构；提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层；将衬底和N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺在漂移区内和漂移区上制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层用N型硅片先注入（或扩散）再高温推阱方式制备，N型硅片与衬底硅片键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104425251A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389765.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供P型硅衬底；通过光刻和刻蚀在衬底的一面形成多个凹槽结构；向凹槽内填充N型硅，在衬底的表面形成背面PN交隔结构；在衬底填充有N型硅的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；在场截止层上外延制备出N型的漂移区；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构背离场截止层的表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层和漂移区用外延方式制备，外延后圆片厚度与常规流通圆片相同，再进行常规的正面工艺，因此与现有的常规工艺兼容，无需专用薄片流通设备，降低了成本。