公开(公告)号：CN104425256A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310390703.5

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和刻蚀在衬底的一面形成凹槽结构；向凹槽内填充第二掺杂类型的硅，在衬底表面形成背面PN交隔结构；提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层；将衬底和N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺在漂移区内和漂移区上制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层用N型硅片先注入（或扩散）再高温推阱方式制备，N型硅片与衬底硅片键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104425251A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389765.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供P型硅衬底；通过光刻和刻蚀在衬底的一面形成多个凹槽结构；向凹槽内填充N型硅，在衬底的表面形成背面PN交隔结构；在衬底填充有N型硅的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；在场截止层上外延制备出N型的漂移区；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构背离场截止层的表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层和漂移区用外延方式制备，外延后圆片厚度与常规流通圆片相同，再进行常规的正面工艺，因此与现有的常规工艺兼容，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104347396A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310311346.9

申请日：2013-07-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  黄璇

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66348

Abstract: 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。

公开(公告)号：CN104425254A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310390475.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成第一导电类型或第二导电类型的导电层；在所述导电层内间隔的形成延伸入所述导电层内的第二导电类型或第一导电类型的通道；在所述通道上形成氧化层；在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;减薄所述半导体晶片，并将减薄后的半导体晶片作为漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；去除所述衬底半导体晶片；去除所述氧化层；在所述通道和导电层上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104425252A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389831.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0688

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和离子注入向硅衬底内注入第二掺杂类型的离子，在硅衬底的表面形成背面PN交隔结构；提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层；将硅衬底和N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的硅衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层用N型硅片先注入（或扩散）再高温推阱方式制备，N型硅片与衬底硅片键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104347397A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310312223.7

申请日：2013-07-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  黄璇

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。

公开(公告)号：CN104241123A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310254804.X

申请日：2013-06-24

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  王万礼

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上采用离子注入的方式形成P+发射区；在所述N型衬底上具有P+发射区的一面外延制备N型漂移区；在所述N型漂移区上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；将所述N型衬底减薄至背面露出所述P+发射区；在所述N型衬底背面形成金属电极。上述方法采用注入与外延方式结合制备NPT RC IGBT，与常规的硅片工艺兼容，不需要较高的薄片流通工艺要求，也不需要专用的双面曝光机。

公开(公告)号：CN104425257A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310390747.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王根毅 ,  邓小社

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/683 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/739 ,  H01L21/683 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。所述方法包括：提供N型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；N型掺杂所述半导体衬底的靠近所述第一表面的区域，以形成缓冲层；在所述第一表面上形成氧化层；提供支撑衬底，并在所述第一表面将所述支撑衬底键合至所述半导体衬底；从所述第二表面对所述半导体衬底进行减薄；在所述第二表面制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除所述支撑衬底以及所述氧化层，以露出所述第一表面；以及在所述第一表面制备所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构。该方法能够与现有的常规的工艺兼容，工艺简单、效率高、无需专用的设备，大大降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN104425253A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389832.2

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出场截止层；向场截止层注入第一掺杂类型的离子；在N型硅片表面光刻并腐蚀出多个凹槽；向凹槽内填充第二掺杂类型的硅，在N型硅片表面形成背面PN交隔结构；在背面PN交隔结构表面形成氧化层；提供衬底，并将衬底与N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底进行减薄至氧化层；湿法腐蚀去除氧化层；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明将N型硅片与衬底键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，减少了对专用薄片流通设备的需求，降低了成本。

公开(公告)号：CN104425250A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389640.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成导电层；在所述导电层的表面形成间隔的凹槽；在所述凹槽内填充第二导电类型或第一导电类型的半导体材料以形成通道；在所述导电层和通道上形成氧化层；在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;减薄所述半导体晶片，并将减薄后的半导体晶片作为漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；去除所述衬底半导体晶片；去除所述氧化层；在所述通道和导电层上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。