公开(公告)号：CN101896647B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980101336.4

申请日：2009-01-14

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 大谷升 ,  胜野正和 ,  柘植弘志 ,  中林正史 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B23/00 ,  C30B23/002 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/6606 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供能够得到位错缺陷少且优质的基板的SiC单晶锭、由该单晶锭得到的基板及外延片，所述碳化硅单晶含有浓度为2×1018cm-3以上且6×1020cm-3以下的施主型杂质，且含有浓度为1×1018cm-3以上且5.99×1020cm-3以下的受主型杂质，而且所述施主型杂质的浓度大于受主型杂质的浓度，其差为1×1018cm-3以上且5.99×1020cm-3以下。

公开(公告)号：CN102844474A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018417.5

申请日：2011-05-10

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/Si比）规定为1.5~2.0而形成掺杂层，通过将C/Si比规定为0.5以上且低于1.5而形成无掺杂层。由此提供一种在偏离角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。

公开(公告)号：CN102308031A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080006915.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  中林正史

IPC: C30B29/06 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/005 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法，能够使结晶性良好的碳化硅单晶块以较高的合格率稳定地成长，是一种碳化硅单晶制造用坩埚，具有收容碳化硅原料的坩埚容器和安装有籽晶的坩埚盖，使坩埚容器内的碳化硅原料升华，对籽晶上供给碳化硅的升华气体，在该籽晶上使碳化硅单晶成长，在坩埚容器和坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部，并且设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽；此外，是具备这样的坩埚的碳化硅单晶的制造装置及使用了该装置的碳化硅单晶的制造方法。

公开(公告)号：CN102301043A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005900.5

申请日：2010-01-29

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。

公开(公告)号：CN102822396A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016856.2

申请日：2011-04-07

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明涉及外延碳化硅单晶基板的制造方法，其根据化学气相沉积法使碳化硅膜在碳化硅单晶基板上外延生长。该方法的结晶生长工序中包括伴有温度切换操作的结晶生长副工序，该温度切换操作使生长温度在相对于占外延生长主要时间的结晶生长主工序的生长温度T1低的设定温度T0与高的设定温度T2之间上下地变化。抑制碳化硅单晶基板中所包含的基底面位错延续到外延膜中，形成高品质的外延膜。

公开(公告)号：CN102187019A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980140973.2

申请日：2009-10-14

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 中林正史 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  柘植弘志

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明提供一种优质的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片，所述碳化硅单晶，其位错和微管等的晶体缺陷的密度低，在应用于器件时成品率高并可发挥高的性能，在晶种与生长晶体的界面的生长方向的前后的杂质添加元素浓度之比为5倍以内，并且，晶种附近的生长晶体的杂质添加元素浓度为2×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下。

公开(公告)号：CN101896647A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200980101336.4

申请日：2009-01-14

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 大谷升 ,  胜野正和 ,  柘植弘志 ,  中林正史 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B23/00 ,  C30B23/002 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/6606 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供能够得到位错缺陷少且优质的基板的SiC单晶锭、由该单晶锭得到的基板及外延片，所述碳化硅单晶含有浓度为2×1018cm-3以上且6×1020cm-3以下的施主型杂质，且含有浓度为1×1018cm-3以上且5.99×1020cm-3以下的受主型杂质，而且所述施主型杂质的浓度大于受主型杂质的浓度，其差为1×1018cm-3以上且5.99×1020cm-3以下。