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公开(公告)号：CN102738109A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210098663.2
申请日：2012-03-27
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/48844 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83444 , H01L2224/8385 , H01L2224/85444 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架，其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂。所述引线框架包括基底框架、四层电镀、及三层电镀。所述基底框架包括引线、由所述密封树脂所密封并且连接至所述接合线的连接区域、及未被所述密封树脂所密封的暴露区域。四层电镀施加至所述基底框架的连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分。三层电镀施加至所述基底框架的从所述密封树脂暴露的暴露区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039387A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710012575.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L21/4821 , H01L23/293 , H01L23/3142 , H01L23/49548 , H01L23/49589 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/49558
Abstract: 本发明提供一种引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。一种引线框架，其包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，所述第二引线接合到所述第一引线；以及树脂部，设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，其中，所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部，所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。
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公开(公告)号：CN102738109B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210098663.2
申请日：2012-03-27
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/48844 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83444 , H01L2224/8385 , H01L2224/85444 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架，其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂。所述引线框架包括基底框架、四层电镀、及三层电镀。所述基底框架包括引线、由所述密封树脂所密封并且连接至所述接合线的连接区域、及未被所述密封树脂所密封的暴露区域。四层电镀施加至所述基底框架的连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分。三层电镀施加至所述基底框架的从所述密封树脂暴露的暴露区域。
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公开(公告)号：CN107039387B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710012575.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。一种引线框架，其包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，所述第二引线接合到所述第一引线；以及树脂部，设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，其中，所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部，所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。
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公开(公告)号：CN105720034B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510882130.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 提供一种半导体装置等，其端子部与树脂部的紧密性更高。该半导体装置包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部，上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构。在上述端子部的长边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸，且，在上述端子部的短边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸，上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域被上述树脂部覆盖。
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公开(公告)号：CN105720034A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510882130.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 提供一种半导体装置等，其端子部与树脂部的紧密性更高。该半导体装置包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部，上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构。在上述端子部的长边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸，且，在上述端子部的短边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸，上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域被上述树脂部覆盖。
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