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公开(公告)号：CN105453279B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480044676.9
申请日：2014-08-01
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/18
Abstract: 本发明包括以下步骤：在半导体结构层的表面上形成基于半导体结构层的表面的晶体方向布置的易蚀刻部分的步骤；以及对半导体结构层的表面进行湿蚀刻并且在半导体结构层的表面上形成包括由于半导体结构层的晶体结构导致的多个突起的凹凸结构面的步骤。
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公开(公告)号：CN102374466B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110243505.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: F21S8/10 , H01L33/58 , H01L33/38 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S41/147 , F21S41/19 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供灯具。作为课题，提供不是像以往那样使来自LED元件的光的一部分截止、而是使用了能够将亮度分布的最大部分配光给截止线的光源的车辆用灯具。该车辆用灯具具有：光源，其构成为包括LED元件和被配置成覆盖所述LED元件的发光面的波长转换层，并发出通过加色混合而形成的白色光；以及投影光学系统，其构成为通过将所述光源的光源像投影到前方，从而在配置于灯具前方的预定位置的假想铅直屏幕上形成前照灯用配光图案。所述LED元件是具有第1长边和第2长边的矩形，在一个长边附近具有亮度峰值部分，利用光源像的亮度峰值部分形成期望配光图案的截止线。
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公开(公告)号：CN102374466A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110243505.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: F21S8/10 , H01L33/58 , H01L33/38 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S41/147 , F21S41/19 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供灯具。作为课题，提供不是像以往那样使来自LED元件的光的一部分截止、而是使用了能够将亮度分布的最大部分配光给截止线的光源的车辆用灯具。该车辆用灯具具有：光源，其构成为包括LED元件和被配置成覆盖所述LED元件的发光面的波长转换层，并发出通过加色混合而形成的白色光；以及投影光学系统，其构成为通过将所述光源的光源像投影到前方，从而在配置于灯具前方的预定位置的假想铅直屏幕上形成前照灯用配光图案。所述LED元件是具有第1长边和第2长边的矩形，在一个长边附近具有亮度峰值部分，利用光源像的亮度峰值部分形成期望配光图案的截止线。
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公开(公告)号：CN102983146B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210320249.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/387
Abstract: 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括：电极层；半导体发光层，其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行；以及多个第二布线层，其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层，并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层，其中，所述半导体发光层的平面形状包括两个短边，该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分，并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。
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公开(公告)号：CN102683513B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210057179.5
申请日：2012-03-06
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 斋藤龙舞
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 光半导体元件及其制造方法，可在保持成品率的同时提高光提取效率。该制造方法包括：在半导体膜的表面中形成多个凹部，该多个凹部沿着该半导体膜的晶轴等间隔地设置；对所述半导体膜的表面进行蚀刻，从而在所述半导体膜的表面中形成多个突起，该多个突起按照所述多个凹部的排列方式排列且源自于所述半导体膜的晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104956499B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201380070732.1
申请日：2013-12-24
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 斋藤龙舞
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 半导体光学装置具有：芯片，其是半导体叠层的芯片，所述半导体叠层具有：具有第1面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面的与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层、和夹在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层，所述芯片的侧面包括：第1侧面，其与所述第2面连续，与第2面之间形成钝角，横截所述第2半导体层和所述有源层，并进入到所述第1半导体层；和与所述第1侧面连续的分割面；第1导电型侧电极，其形成在所述第1面上；以及第2导电型侧电极，其形成在所述第2面上，所述半导体叠层的面内尺寸是50μm以下。
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公开(公告)号：CN105247695A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031243.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L33/105 , F21S41/141 , F21S41/32 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件具有：半导体层合物，其包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；多个过孔，其从所述半导体层合物的p型半导体层穿透发光层，所述多个过孔暴露n型半导体层；反光性p侧电极，其分别与p型半导体层和所述多个过孔的边缘隔离，p侧电极在p型半导体层上方延伸；绝缘层，其使所述多个过孔的底表面被暴露但是覆盖所述过孔的内侧面，所述绝缘层在第二半导体侧电极的边缘部分上方延伸；多个反光性n侧电极，其在所述多个过孔中的每个的底部与n型半导体层电连接，n侧电极跨过绝缘层在p型半导体层和p侧电极上方引出，并且布置为在平面图上与p侧电极重叠而没有间隙。
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公开(公告)号：CN105122476A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480019270.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括：用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤；用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤；用于去除掩模层的步骤；以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。
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公开(公告)号：CN102956785A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210303478.2
申请日：2012-08-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L27/15 , F21S8/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L27/153 , F21S41/147 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 能够减小不均匀亮度分布的LED阵列。一种半导体发光阵列包括被设置在第一方向较长的长方形基板上并且沿着第一方向排列的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件包括：电极层，其形成在基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层沿所述第一方向延长并且包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个长边形成并且平行于该长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层向短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层。在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。
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公开(公告)号：CN105247695B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201480031243.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种半导体发光元件具有：半导体层合物，其包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；多个过孔，其从所述半导体层合物的p型半导体层穿透发光层，所述多个过孔暴露n型半导体层；反光性p侧电极，其分别与p型半导体层和所述多个过孔的边缘隔离，p侧电极在p型半导体层上方延伸；绝缘层，其使所述多个过孔的底表面被暴露但是覆盖所述过孔的内侧面，所述绝缘层在第二半导体侧电极的边缘部分上方延伸；多个反光性n侧电极，其在所述多个过孔中的每个的底部与n型半导体层电连接，n侧电极跨过绝缘层在p型半导体层和p侧电极上方引出，并且布置为在平面图上与p侧电极重叠而没有间隙。
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