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公开(公告)号：CN105636262B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510824001.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H05B33/08
Abstract: 发光二极管设备。一种发光二极管设备包括：支承基板；以及发光二极管阵列，该发光二极管阵列由所述支承基板上二维地布置的多个发光二极管形成，构成所述发光二极管阵列中具有最高亮度的光分布中心，其中，所述多个发光二极管被划分为多个控制单元，所述多个控制单元的驱动电流能够单独地控制，其中，所述多个控制单元包括多个复合控制单元，在每个复合控制单元中，多个发光二极管串联连接，并且其中，在每个复合控制单元中的多个发光二极管当中，离所述光分布中心较远的发光二极管的发光面积比离所述光分布中心较近的发光二极管的发光面积大。
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公开(公告)号：CN115427864A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180014013.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 宫地护
Abstract: 本发明提供一种光扫描装置。该光扫描装置能够应对光检测器的安装位置、特性的偏差，从而提高镜部的偏转角的检测精度。光扫描装置(1)具备控制部(2)、光偏转器(3)、光检测部(4a，4b)以及光源(5)。光偏转器(3)的镜部(30)具有生成扫描光(Lb)的平坦反射部(38)和生成2次反射光(L2)的槽型反射部(39)，并绕旋转轴(36)往复转动。光检测部(4a，4b)配置在扫描光(Lb)的扫描轨迹上且可对2次反射光进行受光的位置上，在扫描光(Lb)的扫描方向上被分割线(53)分割成光检测器(54a)和光检测器(54b)。控制部(2)基于光检测器(54a，54b)的两输出检测镜部(30)的偏转角(θ)。
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公开(公告)号：CN102983146B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210320249.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/387
Abstract: 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括：电极层；半导体发光层，其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行；以及多个第二布线层，其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层，并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层，其中，所述半导体发光层的平面形状包括两个短边，该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分，并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。
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公开(公告)号：CN105247695B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201480031243.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种半导体发光元件具有：半导体层合物，其包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；多个过孔，其从所述半导体层合物的p型半导体层穿透发光层，所述多个过孔暴露n型半导体层；反光性p侧电极，其分别与p型半导体层和所述多个过孔的边缘隔离，p侧电极在p型半导体层上方延伸；绝缘层，其使所述多个过孔的底表面被暴露但是覆盖所述过孔的内侧面，所述绝缘层在第二半导体侧电极的边缘部分上方延伸；多个反光性n侧电极，其在所述多个过孔中的每个的底部与n型半导体层电连接，n侧电极跨过绝缘层在p型半导体层和p侧电极上方引出，并且布置为在平面图上与p侧电极重叠而没有间隙。
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公开(公告)号：CN105122476B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201480019270.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括：用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤；用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤；用于去除掩模层的步骤；以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956785B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210303478.2
申请日：2012-08-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , F21S41/147 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 能够减小不均匀亮度分布的LED阵列。一种半导体发光阵列包括被设置在第一方向较长的长方形基板上并且沿着第一方向排列的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件包括：电极层，其形成在基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层沿所述第一方向延长并且包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个长边形成并且平行于该长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层向短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层。在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。
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公开(公告)号：CN112034614B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202010473622.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 宫地护
Abstract: 本发明提供一种光偏转器及光扫描装置。该光偏转器等能够避免偏转角检测用的光传感器的长大化并能够检测出镜部的任意的偏转角。光偏转器(3)具备镜部(30)和致动器(32a～32d)，镜部(30)具有均反射入射光的平坦反射面(38)和槽型反射面(39)；致动器(32a～32d)使镜部(30)绕旋转轴(36)往复转动。槽型反射面(39)具有与旋转轴(36)平行地延伸设置的多个纵槽(41)。各纵槽(41)具有与旋转轴(36)平行的对置倾斜面(42a，42b)，对置倾斜面(42a，42b)具有V槽的对置倾斜面的至少开口侧部分。
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公开(公告)号：CN105247695A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031243.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L33/105 , F21S41/141 , F21S41/32 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件具有：半导体层合物，其包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；多个过孔，其从所述半导体层合物的p型半导体层穿透发光层，所述多个过孔暴露n型半导体层；反光性p侧电极，其分别与p型半导体层和所述多个过孔的边缘隔离，p侧电极在p型半导体层上方延伸；绝缘层，其使所述多个过孔的底表面被暴露但是覆盖所述过孔的内侧面，所述绝缘层在第二半导体侧电极的边缘部分上方延伸；多个反光性n侧电极，其在所述多个过孔中的每个的底部与n型半导体层电连接，n侧电极跨过绝缘层在p型半导体层和p侧电极上方引出，并且布置为在平面图上与p侧电极重叠而没有间隙。
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公开(公告)号：CN105122476A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480019270.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括：用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤；用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤；用于去除掩模层的步骤；以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。
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公开(公告)号：CN102956785A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210303478.2
申请日：2012-08-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L27/15 , F21S8/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L27/153 , F21S41/147 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 能够减小不均匀亮度分布的LED阵列。一种半导体发光阵列包括被设置在第一方向较长的长方形基板上并且沿着第一方向排列的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件包括：电极层，其形成在基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层沿所述第一方向延长并且包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个长边形成并且平行于该长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层向短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层。在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。
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