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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105453279A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044676.9
申请日：2014-08-01
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/18
Abstract: 本发明包括以下步骤：在半导体结构层的表面上形成基于半导体结构层的表面的晶体方向布置的易蚀刻部分的步骤；以及对半导体结构层的表面进行湿蚀刻并且在半导体结构层的表面上形成包括由于半导体结构层的晶体结构导致的多个突起的凹凸结构面的步骤。
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公开(公告)号：CN105122476B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201480019270.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括：用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤；用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤；用于去除掩模层的步骤；以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。
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公开(公告)号：CN105122476A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480019270.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括：用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤；用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤；用于去除掩模层的步骤；以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。
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公开(公告)号：CN118355574A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080814.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: [问题]为提供一种垂直腔发光元件，该垂直腔发光元件被配置为防止包括有源层的半导体层的劣化，并且因此，所述元件具有高耐久性。[解决方案]该垂直腔发光元件的特征在于包括：氮化镓基半导体基板；第一多层膜镜反射体，其形成在基板上并且包括在其成分中包含铟的含铟氮化物半导体层和不包含铟的无铟氮化物半导体层，所述层被交替层压；半导体结构层，其包括由氮化物半导体组成的有源层；第二多层膜镜反射体，其形成在半导体结构层上，并且与第一多层膜镜反射体一起构成空腔；以及电流限制结构，其形成在第一多层膜镜反射体与第二多层膜镜反射体之间，并且将电流集中到有源层的一个区域。该垂直腔发光元件的特征还在于，第一多层膜镜反射体的顶层是含铟氮化物半导体层，并且沿着所述顶层(即，含铟氮化物半导体层的上表面)延伸的区域具有比其它区域高的氢杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105453279B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480044676.9
申请日：2014-08-01
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/18
Abstract: 本发明包括以下步骤：在半导体结构层的表面上形成基于半导体结构层的表面的晶体方向布置的易蚀刻部分的步骤；以及对半导体结构层的表面进行湿蚀刻并且在半导体结构层的表面上形成包括由于半导体结构层的晶体结构导致的多个突起的凹凸结构面的步骤。
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