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公开(公告)号：CN118731623A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410815834.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 扬州大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件特性测试及温度监测系统与方法，通过LabVIEW软件编程，搭建用户界面、程序控制端、实验平台；实验平台中进一步设计测温模块、示波器模块、特性曲线测试模块、电压输出模块；实现对半导体器件电压、电流、信号波形、温度等多种参数的实时监测和分析。本发明具备多通道测试的能力，可以同时测量和监测多个样品；并且本发明支持多个试验的并行执行，这意味着不仅可以同时测试多个样品，还可以在同一时间内控制不同仪器执行多个不同类型的试验，在同一时间内获得更多的数据，显著提高了测试的效率，节省了时间和资源。同时，LabVIEW的图形化编程特性使其易于操作和使用，降低了操作人员的技术门槛。
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公开(公告)号：CN119849425A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411712242.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G01R31/26 , G01D21/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多物理场作用下半导体器件热力特性仿真方法，涉及半导体仿真领域，通过获取半导体器件的工艺结构参数和材料参数，在仿真软件中构建二位元胞结构模型仿真模拟得到热源，然后根据半导体器件结构特点构建半导体器件的三维多栅指结构模型，将仿真对象从二维元胞结构扩展到更加复杂的三维多栅指结构，再将二维元胞结构仿真模拟得到的热源导入三维模型中进行多物理场仿真模拟，并对多物理场仿真结果进行热力学分析。通过本发明能够模拟热场、应力场等多个物理场的相互作用，用于复杂结构和环境下的多场耦合分析，可以更全面地分析半导体器件在多物理场作用下的热力特性，为优化器件设计、提升其在高压、高温和辐射环境下的性能和可靠性提供更为准确的仿真依据。
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公开(公告)号：CN119830850A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411712245.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G16C60/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法，通过获取功率半导体器件结构参数和材料参数，构建元胞三维模型，在此基础上构建半导体器件整体与元胞复合模型，并进行网格划分，在复合模型中添加温度载荷进行仿真模拟，并对模拟结果进行分析评估。本发明建立了半导体器件整体模型与元胞模型的耦合关系，综合了半导体器件整体与元胞模型之间不同尺寸维度，有效考虑了不同维度模型之间的相互作用，能够全面揭示半导体器件在高低温循环中的真实表现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119064740A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411002857.7
申请日：2024-07-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照环境下宽禁带半导体器件电学性能监测系统，包括：功率器件辐照电路板，主控电路板，上位机，第一、第二源表，示波器；功率器件辐照电路板包括母板，弯插排针，器件测试座以及子板，主控电路板上设有控制栅极、漏极加压的继电器组，器件栅极，漏极逻辑选通电路，与控制漏极，栅极加压的继电器组联通的第一、第二漏极源表输入电压接线柱以及控制模块；当对某个待测器件进行电学性能监测时，将示波器与待测器件连接；上位机将控制信号传送至控制模块，并对源表的输出电压进行控制，控制模块通过驱动逻辑选通电路控制相应继电器闭合，从而使得第一、第二源表的电压通过相应继电器施加到待测器件上，最终实现对待测器件的监测。
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公开(公告)号：CN118641912A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410572797.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 扬州大学
IPC: G01R31/26 , G06F30/31 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件电学特性测试与预测方法，利用数字源表对待测的半导体器件进行供电；通过LabVIEW平台编写控制程序，实现对数字源表的自动化控制，测试器件的电学特性，并对数字源表采集的测试数据进行读取和保存；根据测试数据，使用Origin软件对半导体器件的电学特性曲线进行拟合，得到半导体器在高压大电流条件下的电学特性预测数据。本发明通过利用LabVIEW软件构建综合测试系统，实现对宽禁带半导体器件的特性进行精确测试，并创新地在LabVIEW中调用了Origin软件的数据分析拟合功能，基于实测数据外推预测其在高电压大电流工作条件下的性能。
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公开(公告)号：CN119940253A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411760200.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法，包括步骤：首先，针对p型栅GaN HEMT器件进行参数获取及二维建模，并完成精细的网格划分；接着，构建电学模型并进行优化；在验证模型与器件手册数据的一致性后，设置器件的工作条件，包括温度和偏置电压，同时引入晶格加热、陷阱和界面态、迁移率等模型，以准确模拟器件在实际工况下的表现；随后，通过引入时间模型分析不同HTGB应力时间对器件内部缺陷密度、电荷浓度及载流子浓度的影响；最终，仿真分析不同HTGB应力时间后的器件电学特性，评估器件的可靠性。本发明直观地展示了HTGB对器件性能退化的影响机制，并能评估器件性能随时间的变化趋势。
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公开(公告)号：CN119720904A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411712246.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/25 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真方法，通过获取实际半导体器件的结构和材料信息，构建器件的二维结构模型，并融合物理模型、温度模型、总剂量模型和单电子效应模型，构建热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真模型。通过本发明能够准确仿真不同温度、不同剂量和不同电压共同作用下功率半导体器件的单粒子特征参数变化规律，不仅节约了实验成本，同时也帮助我们分析在多场作用下，通过器件内部载流子迁移率、载流子浓度、电场强度等微观参数的时空分布特性，阐明器件发生单粒子效应时的损伤机理，促进了功率半导体器件在辐射环境下的应用。
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公开(公告)号：CN118244078A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410402049.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 扬州大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW和神经网络的器件伏安特性测试方法，利用数字源表对器件伏安特性测试进行供电，通过LabVIEW虚拟仪器对所述数字源表实现自动化控制并实时读取数字源表的测试数据；建立LabVIEW与Python之间的通信，在测试过程中通过Python来调用已训练完成的神经网络模型对器件的伏安特性进行实时预测，将预测数据与测试数据相对比，筛选出测试中的异常数据；其中，所述预测数据与测试数据在LabVIEW中以图像形式展现。本发明实现了对所有硬件的自动化控制以及图形化显示实时测试结果，并实现通过预测数据与测试数据比对来发现测试中的异常数据。
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