公开(公告)号：CN119720904A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411712246.1

申请日：2024-11-27

Applicant: 扬州大学

Inventor： 薛玉雄 ,  周炜翔 ,  曹荣幸 ,  陆雨鑫 ,  刘涵勋 ,  陈肖 ,  李佳妍 ,  张子昂

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/25 ,  G06F119/04 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真方法，通过获取实际半导体器件的结构和材料信息，构建器件的二维结构模型，并融合物理模型、温度模型、总剂量模型和单电子效应模型，构建热‑电‑辐射多场作用下半导体器件性能仿真模型。通过本发明能够准确仿真不同温度、不同剂量和不同电压共同作用下功率半导体器件的单粒子特征参数变化规律，不仅节约了实验成本，同时也帮助我们分析在多场作用下，通过器件内部载流子迁移率、载流子浓度、电场强度等微观参数的时空分布特性，阐明器件发生单粒子效应时的损伤机理，促进了功率半导体器件在辐射环境下的应用。