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公开(公告)号：CN111566819B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880085989.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/028 , H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 成像传感器阵列(38)包括：被安置在硅层(16F)上的外延锗层(16G)；以及在锗层对面的一侧被安置在硅层上的电偏置光电子收集器(42A、42B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111566819A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880085989.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/028 , H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 成像传感器阵列(38)包括：被安置在硅层(16F)上的外延锗层(16G)；以及在锗层对面的一侧被安置在硅层上的电偏置光电子收集器(42A、42B)。
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公开(公告)号：CN117795681A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055135.0
申请日：2022-07-09
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括传感器元件阵列和读出电路，每个传感器元件响应于入射光子通量，读出电路电耦合到传感器元件阵列并且被配置为释放依赖于入射光子通量变化的电子信号。热障区将传感器元件阵列与读出电路分离，并且固态冷却器热耦合到传感器元件阵列。
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公开(公告)号：CN117561603A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045018.6
申请日：2022-05-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 示例成像传感器包括体硅衬底和像素阵列。像素阵列包括包含有源像素子阵列的有源像素区域、包含光学黑色像素子阵列的光学黑色像素区域和包含光学黑色虚设像素子阵列的光学黑色虚设像素区域，光学黑色虚设像素区域被定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间。近红外吸收器被定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间，近红外吸收器包括具有比硅的近红外吸收系数更高的近红外吸收系数的材料。
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公开(公告)号：CN110121661B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201780079308.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: G01S17/894 , G01S7/481 , H04N25/65 , H04N25/78
Abstract: 呈现了一种飞行时间传感器中的像素布置，包括建立与入射光有关的电荷的感测元件，累积转移自感测元件的集成电荷的电荷存储元件，以及被配置成建立测量电压的扩散节点，该测量电压表示转储自电荷存储元件的集成电荷。像素布置包括模拟域输出电路系统，该模拟域输出电路系统包括存储测量电压的测量电容元件，以及存储在测量阶段之前执行的复位阶段期间在扩散节点处建立的复位电压的复位电容元件。模拟域输出电路系统从所存储的测量电压中减去所存储的复位电压以便处理成像素输出电压，这至少部分地减小像素布置的读出电压不确定度。
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公开(公告)号：CN110121661A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780079308.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
Abstract: 呈现了一种飞行时间传感器中的像素布置，包括建立与入射光有关的电荷的感测元件，累积转移自感测元件的集成电荷的电荷存储元件，以及被配置成建立测量电压的扩散节点，该测量电压表示转储自电荷存储元件的集成电荷。像素布置包括模拟域输出电路系统，该模拟域输出电路系统包括存储测量电压的测量电容元件，以及存储在测量阶段之前执行的复位阶段期间在扩散节点处建立的复位电压的复位电容元件。模拟域输出电路系统从所存储的测量电压中减去所存储的复位电压以便处理成像素输出电压，这至少部分地减小像素布置的读出电压不确定度。
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