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公开(公告)号：CN105229486B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480020206.9
申请日：2014-03-31
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: G01S7/486 , H01L27/146 , G01S17/89 , G01S17/36
CPC classification number: H04N13/204 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S17/36 , G01S17/89 , H01L27/14609
Abstract: 成像器包括发射器、像素元件阵列、以及驱动器逻辑。发射器释放光脉冲突发，其中各突发之间具有间歇。每个像素元件具有可偏置以将电荷吸引到表面的梳状门,收集电荷的读取节点、以及传输门，所述传输门用于允许这类电荷到达读取节点并且阻止这类电荷被吸收到所述梳状门中。驱动器逻辑以经调制的光脉冲对梳状门进行偏置，使得相邻的第一和第二元件的梳状门以不相等相位循环进入和脱离电荷吸引状态。为了减少环境光对于成像器的影响，所述驱动器逻辑被进一步配置成对所述传输门进行偏置，使得所述电荷仅在突发期间被准许到达所述读取节点，并且被避免在间歇期间抵达所述读取节点。
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公开(公告)号：CN105229486A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480020206.9
申请日：2014-03-31
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: G01S7/486 , H01L27/146 , G01S17/89 , G01S17/36
CPC classification number: H04N13/204 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S17/36 , G01S17/89 , H01L27/14609
Abstract: 成像器包括发射器、像素元件阵列、以及驱动器逻辑。发射器释放光脉冲突发，其中各突发之间具有间歇。每个像素元件具有可偏置以将电荷吸引到表面的梳状门,收集电荷的读取节点、以及传输门，所述传输门用于允许这类电荷到达读取节点并且阻止这类电荷被吸收到所述梳状门中。驱动器逻辑以经调制的光脉冲对梳状门进行偏置，使得相邻的第一和第二元件的梳状门以不相等相位循环进入和脱离电荷吸引状态。为了减少环境光对于成像器的影响，所述驱动器逻辑被进一步配置成对所述传输门进行偏置，使得所述电荷仅在突发期间被准许到达所述读取节点，并且被避免在间歇期间抵达所述读取节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110115028A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780079026.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 提出了飞行时间传感器或其他成像传感器中的像素布置，其包括：被配置成累积与入射光相关的电荷的感测元件；以及邻近该感测元件并被配置成选择性地控制像素布置中的电荷的转移的两个转移栅极。在集成阶段期间，用于全局快门的电荷存储元件基于第一转移栅极的激活和第二转移栅极的停用来存储从感测元件接收到的电荷的第一部分。在复位阶段期间，扩散节点基于第一转移栅极的停用和第二转移栅极的激活来接收从感测元件接收到的电荷的第二部分。在像素读出阶段期间，扩散节点基于第一转移栅极的激活和第二转移栅极的激活来接收从电荷存储元件接收到的电荷的第一部分。
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公开(公告)号：CN110115028B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201780079026.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 提出了飞行时间传感器或其他成像传感器中的像素布置，其包括：被配置成累积与入射光相关的电荷的感测元件；以及邻近该感测元件并被配置成选择性地控制像素布置中的电荷的转移的两个转移栅极。在集成阶段期间，用于全局快门的电荷存储元件基于第一转移栅极的激活和第二转移栅极的停用来存储从感测元件接收到的电荷的第一部分。在复位阶段期间，扩散节点基于第一转移栅极的停用和第二转移栅极的激活来接收从感测元件接收到的电荷的第二部分。在像素读出阶段期间，扩散节点基于第一转移栅极的激活和第二转移栅极的激活来接收从电荷存储元件接收到的电荷的第一部分。
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公开(公告)号：CN107210313A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008723.3
申请日：2016-02-01
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: H01L27/146
Abstract: CMOS图像传感器像素具有集成式浅沟槽隔离结构，通常导致较高的光学灵敏度，并且特别用于长波长(红色、近红外、红外)。浅沟槽隔离结构用作反射和衍射光的光栅，使得在像素的光敏半导体层中观察到经增加的光能(光生成)。通过用掺杂剂钝化浅沟槽隔离结构来避免暗电流的增加，所述掺杂剂被注入光敏半导体层内。标准CMOS工艺中的退火使所述掺杂剂向浅沟槽隔离结构漫射。像素可被配置为飞行时间传感器。浅沟槽隔离结构充当电荷运动的物理屏障，导致更高的调制对比度像素。此外，前侧或背侧照明可被使用。
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公开(公告)号：CN110121661B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201780079308.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
IPC: G01S17/894 , G01S7/481 , H04N25/65 , H04N25/78
Abstract: 呈现了一种飞行时间传感器中的像素布置，包括建立与入射光有关的电荷的感测元件，累积转移自感测元件的集成电荷的电荷存储元件，以及被配置成建立测量电压的扩散节点，该测量电压表示转储自电荷存储元件的集成电荷。像素布置包括模拟域输出电路系统，该模拟域输出电路系统包括存储测量电压的测量电容元件，以及存储在测量阶段之前执行的复位阶段期间在扩散节点处建立的复位电压的复位电容元件。模拟域输出电路系统从所存储的测量电压中减去所存储的复位电压以便处理成像素输出电压，这至少部分地减小像素布置的读出电压不确定度。
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公开(公告)号：CN110121661A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780079308.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
Abstract: 呈现了一种飞行时间传感器中的像素布置，包括建立与入射光有关的电荷的感测元件，累积转移自感测元件的集成电荷的电荷存储元件，以及被配置成建立测量电压的扩散节点，该测量电压表示转储自电荷存储元件的集成电荷。像素布置包括模拟域输出电路系统，该模拟域输出电路系统包括存储测量电压的测量电容元件，以及存储在测量阶段之前执行的复位阶段期间在扩散节点处建立的复位电压的复位电容元件。模拟域输出电路系统从所存储的测量电压中减去所存储的复位电压以便处理成像素输出电压，这至少部分地减小像素布置的读出电压不确定度。
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