突发模式飞行时间成像
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105229486B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201480020206.9

    申请日:2014-03-31

    Abstract: 成像器包括发射器、像素元件阵列、以及驱动器逻辑。发射器释放光脉冲突发,其中各突发之间具有间歇。每个像素元件具有可偏置以将电荷吸引到表面的梳状门,收集电荷的读取节点、以及传输门,所述传输门用于允许这类电荷到达读取节点并且阻止这类电荷被吸收到所述梳状门中。驱动器逻辑以经调制的光脉冲对梳状门进行偏置,使得相邻的第一和第二元件的梳状门以不相等相位循环进入和脱离电荷吸引状态。为了减少环境光对于成像器的影响,所述驱动器逻辑被进一步配置成对所述传输门进行偏置,使得所述电荷仅在突发期间被准许到达所述读取节点,并且被避免在间歇期间抵达所述读取节点。

    突发模式飞行时间成像
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105229486A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201480020206.9

    申请日:2014-03-31

    Abstract: 成像器包括发射器、像素元件阵列、以及驱动器逻辑。发射器释放光脉冲突发,其中各突发之间具有间歇。每个像素元件具有可偏置以将电荷吸引到表面的梳状门,收集电荷的读取节点、以及传输门,所述传输门用于允许这类电荷到达读取节点并且阻止这类电荷被吸收到所述梳状门中。驱动器逻辑以经调制的光脉冲对梳状门进行偏置,使得相邻的第一和第二元件的梳状门以不相等相位循环进入和脱离电荷吸引状态。为了减少环境光对于成像器的影响,所述驱动器逻辑被进一步配置成对所述传输门进行偏置,使得所述电荷仅在突发期间被准许到达所述读取节点,并且被避免在间歇期间抵达所述读取节点。

    具有集成式浅沟槽隔离结构的CMOS深度图像传感器

    公开(公告)号:CN107210313A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680008723.3

    申请日:2016-02-01

    Abstract: CMOS图像传感器像素具有集成式浅沟槽隔离结构,通常导致较高的光学灵敏度,并且特别用于长波长(红色、近红外、红外)。浅沟槽隔离结构用作反射和衍射光的光栅,使得在像素的光敏半导体层中观察到经增加的光能(光生成)。通过用掺杂剂钝化浅沟槽隔离结构来避免暗电流的增加,所述掺杂剂被注入光敏半导体层内。标准CMOS工艺中的退火使所述掺杂剂向浅沟槽隔离结构漫射。像素可被配置为飞行时间传感器。浅沟槽隔离结构充当电荷运动的物理屏障,导致更高的调制对比度像素。此外,前侧或背侧照明可被使用。

    带传感器阵列上光阀的相机

    公开(公告)号:CN108605117A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780010735.4

    申请日:2017-02-01

    Abstract: 一种相机包括传感器阵列(28),该传感器阵列包括多个可单独寻址的传感器元件(30),所述多个传感器元件中的每一个响应于宽波长带上的入射光。覆盖传感器阵列的是可在关闭和打开状态之间电子切换的光阀(40)。光阀被配置成,在关闭状态下阻挡阻带的光并透射阻带外的光,而在打开状态下透射阻带的光。相机的电子控制器(42)被配置成将所述光阀从所述关闭状态切换到所述打开状态并且,与切换所述光阀同步地寻址所述传感器阵列的所述传感器元件。

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