具有近红外吸收器的成像传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117561603A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202280045018.6

    申请日:2022-05-13

    Abstract: 示例成像传感器包括体硅衬底和像素阵列。像素阵列包括包含有源像素子阵列的有源像素区域、包含光学黑色像素子阵列的光学黑色像素区域和包含光学黑色虚设像素子阵列的光学黑色虚设像素区域,光学黑色虚设像素区域被定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间。近红外吸收器被定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间,近红外吸收器包括具有比硅的近红外吸收系数更高的近红外吸收系数的材料。

    差分飞行时间传感器像素的较低功率操作

    公开(公告)号:CN115698755A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202180042818.8

    申请日:2021-04-24

    Abstract: 成像系统包括差分像素的传感器阵列。控制器在第一较低功率模式下操作传感器阵列的第一差分像素。控制器针对第一持续时间供应第一时钟信号以选择性地激活第一差分像素的第一采集端子,以及针对第二持续时间供应第二时钟信号以选择性地激活第一差分像素的第二采集端子。在模拟域中,在第一持续时间内在第一采集端子处累积的第一电荷量被读出,并与在第二持续时间内在第二采集端子处累积的第二电荷量的读出进行比较。响应于第一电荷量与第二电荷量相差超过阈值,传感器阵列的第一差分像素在第二较高功率模式下被操作。

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