公开(公告)号：CN114746978A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201980102686.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： P·阿塞夫 ,  E·彻尼舍瓦 ,  A·辛格 ,  王贯中

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/22 ,  H01L21/033 ,  H01L39/24

Abstract: 一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂的层；选择性地去除抗蚀剂的一部分以在抗蚀剂中形成通道；在通道中形成非晶介电材料层；以及去除抗蚀剂以形成中空壁。该通道具有前表面，该前表面被构造成防止中空壁的相应前表面弯曲。例如，在制造半导体‑超导体混合器件时，中空壁可以用于控制材料的沉积。通过适当地构造通道，可以防止中空壁弯曲，从而允许材料的更精确沉积。还提供了另一种制造中空壁的方法；以及使用中空壁制造器件的方法。

公开(公告)号：CN114175288A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201980098818.2

申请日：2019-07-29

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： P·阿塞夫 ,  P·卡洛夫-高纳克

IPC: H01L39/24 ,  H01L27/18 ,  G06N10/20 ,  H01L39/02 ,  H01L39/22

Abstract: 提供了一种用于制造器件的方法。在衬底(10)的顶表面上，第一沉积材料的第一层(22)被形成。所述第一沉积材料的所述第一层被图案化以创建剩余第一沉积材料的种子图案(24)。同质外延被用于在所述种子图案上生长所述第一沉积材料的第二层(26)。

公开(公告)号：CN113302760A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009378.1

申请日：2020-01-17

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： S·拉玛克斯 ,  P·阿塞夫 ,  A·辛格 ,  沈洁 ,  L·P·库文霍芬

IPC: H01L39/24 ,  C23C14/04

Abstract: 在本技术的实施例中，中空阴影壁(13)由处于衬底(10)的表面上的基底和连接到基底的一个或多个侧壁形成。一个或多个侧壁远离衬底的表面延伸并围绕基底，以限定中空阴影壁的内部腔体(22)。通过使用沉积束(4)，将由衬底支撑与阴影壁相邻的器件结构(11)选择性地图案化，以使沉积材料层选择性地沉积。沉积束具有相对于衬底的表面的法线的非零入射角度和在衬底的表面的平面中的取向，以防止沉积在由阴影壁限定的阴影区(24)内的器件结构的表面部分上。然后，去除中空阴影壁的一个或多个侧壁。

公开(公告)号：CN113330572B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202080009783.3

申请日：2020-01-04

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： P·阿塞夫 ,  P·卡洛夫-高纳克

IPC: H10N69/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/18 ,  G06N10/00 ,  H10N60/12 ,  H10N60/01

Abstract: 在掩模阶段，非晶掩模的第一段被形成在基底的底层上。第一段包括暴露底层的第一组沟槽。在掩模阶段，非晶掩模的第二段被形成在底层上。第二段包括暴露该底层的第二组沟槽。这两个段不重叠。第一组沟槽中的一个沟槽的开口端面向第二组沟槽中的一个沟槽的开口端，但是端被非晶掩模的一部分分离。在半导体生长阶段，通过选择性区域生长，半导体材料被生长在第一组沟槽和第二组沟槽中以在底层上形成纳米线的第一子网络和第二子网络。纳米线的第一子网络和第二子网络被接合以形成单个纳米线网络。

公开(公告)号：CN114365290A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201980100172.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： P·阿塞夫 ,  P·卡洛夫-高纳克 ,  L·P·考恩霍文

IPC: H01L27/18 ,  H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  C30B29/60 ,  G06N10/40

Abstract: 一种制造方法，包括：在衬底(2)的晶体表面上形成非晶材料的掩模(10)，该掩模具有开口图案，开口图案限定有源区的区域，一个或多个有源设备的一个或多个组件在有源区的区域中将要被形成，该掩模还限定非有源区，有源设备在非有源区中不被形成；以及通过外延生长过程，形成穿过掩模的沉积材料(4)。因此，沉积材料在有源区的开口中形成。穿过掩模的开口图案还包括在非有源区中形成的一个或多个存储区(8)，存储区中的每个存储区通过掩模中的开口图案被连接到有源区中的区域中的至少一个区域，并且作为外延生长的一部分，沉积材料在存储区中形成。

公开(公告)号：CN113330572A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202080009783.3

申请日：2020-01-04

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： P·阿塞夫 ,  P·卡洛夫-高纳克

IPC: H01L27/18 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/18 ,  G06N10/00 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 在掩模阶段，非晶掩模的第一段被形成在基底的底层上。第一段包括暴露底层的第一组沟槽。在掩模阶段，非晶掩模的第二段被形成在底层上。第二段包括暴露该底层的第二组沟槽。这两个段不重叠。第一组沟槽中的一个沟槽的开口端面向第二组沟槽中的一个沟槽的开口端，但是端被非晶掩模的一部分分离。在半导体生长阶段，通过选择性区域生长，半导体材料被生长在第一组沟槽和第二组沟槽中以在底层上形成纳米线的第一子网络和第二子网络。纳米线的第一子网络和第二子网络被接合以形成单个纳米线网络。