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发明公开
制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN113302760A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009378.1

申请日：2020-01-17

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： S·拉玛克斯 , P·阿塞夫 , A·辛格 , 沈洁 , L·P·库文霍芬

IPC: H01L39/24 , C23C14/04

Abstract: 在本技术的实施例中，中空阴影壁(13)由处于衬底(10)的表面上的基底和连接到基底的一个或多个侧壁形成。一个或多个侧壁远离衬底的表面延伸并围绕基底，以限定中空阴影壁的内部腔体(22)。通过使用沉积束(4)，将由衬底支撑与阴影壁相邻的器件结构(11)选择性地图案化，以使沉积材料层选择性地沉积。沉积束具有相对于衬底的表面的法线的非零入射角度和在衬底的表面的平面中的取向，以防止沉积在由阴影壁限定的阴影区(24)内的器件结构的表面部分上。然后，去除中空阴影壁的一个或多个侧壁。

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