一种双层光电镊芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN118045645B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410451362.6

    申请日:2024-04-16

    Abstract: 本发明提供了一种双层光电镊芯片及其制造方法,涉及生物芯片技术领域,包括上基底和下基底,上基底和下基底之间设有若干隔离墙,相邻隔离墙之间设置有流道,上基底包括玻璃,玻璃上设置有ITO层,ITO层上设置有第二光电层,第二光电层设置于隔离墙上,下基底包括衬底,衬底上设置有第一光电层,第一光电层与隔离墙相接触。通过设置第一光电层和第二光电层,流道中的颗粒分别受到上下两边的力的作用,从而增加了入射光的转换效率,使得流道中的颗粒受力均匀,减少颗粒的移动的阻力,提高光电镊芯片性能。

    一种载药磁流体机器人的制备方法

    公开(公告)号:CN117283608B

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311566209.X

    申请日:2023-11-22

    Inventor: 冯林 纪易明 白雪

    Abstract: 本发明提供了一种载药磁流体机器人的制备方法,属于微流控技术领域,解决了现有技术磁流体机器人存在的基载液不适配、纳米颗粒药物运动控制难、利用率低的问题。该方法包括如下步骤:S1.制备具有生物相容性基载液并可链接设定药物的分子的磁流体机器人;S2.将制备的磁流体机器人与设定药物进行混合并溶解,获得载药磁流体机器人。使用生物相容性基载液,可以解决基载液不适配带来的生物相容性问题。由于磁流体具有独特的可变形和可分割的特性,在肿瘤靶向治疗领域具有巨大的发展潜力和广泛的应用前景,可在电磁铁或永磁体的吸引下跟随磁极运动,降低了对高度流场和复杂血管环境

    一种光电微流控装置及系统

    公开(公告)号:CN116899644B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311169188.8

    申请日:2023-09-12

    Abstract: 本发明提供了一种光电微流控装置及系统,属于光电镊技术领域,光电微流控装置包括:下基板,其表面上镀有光电薄膜;微流体阵列组件,位于下基板上,微流体阵列组件包括至少一组微流体阵列,每组微流体阵列并列设置,至少一组微流体阵列具有至少一个微流体腔;上基板,其表面上镀有导电薄膜,且具有导电薄膜的一面与微流体阵列组件连接。本发明实施例可将大批量的微目标利用光电镊技术分别导入单独的微流体阵列组件中的微流体腔内观察分析研究,以及一次实验可以研究更多的微目标颗粒,提高了对微目标的研究效率,降低了分析实验成本。

    一种晶圆键合装置及晶圆键合系统

    公开(公告)号:CN116960035A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202311213895.2

    申请日:2023-09-20

    Abstract: 本发明属于晶圆键合领域,具体涉及到一种晶圆键合装置及晶圆键合系统,包括压合机构、连接机构、上基台、下基台和支撑机构,压合机构固定在支撑机构内壁的上侧,压合机构的下端通过连接机构铰接上基台,下基台设置在支撑机构内壁的下侧;所述的支撑机构包括基台支撑件,支撑机构底座、支撑机构侧柱和支撑机构顶盖,基台支撑件,基台支撑件固定在支撑机构底座上,支撑机构底座通过多个支撑机构侧柱固定支撑机构顶盖;压合机构固定在支撑机构顶盖上;本发明的有益效果为可以保证芯片在键合时受到的压力足够均匀,提高了键合良品率,大大降低了键合装置的复杂度与成本。

    一种用于光电镊设备的芯片基底的制备方法

    公开(公告)号:CN115602762A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211215069.7

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种用于光电镊设备的芯片基底的制备方法,该制备方法通过对ITO导电玻璃基底进行等离子处理,从而提高了氢化非晶硅与ITO导电玻璃的结合力,避免了氢化非晶硅光电层薄膜大面积制备时出现的易脱落问题,通过等离子增强化学气相沉积法使得所制备的氢化非晶硅光电层薄膜表面的均匀性高,有效降低了工艺的成本和时间,而退火处理能够消除氢化非晶硅光电层薄膜沉积过程中的残余应力,提高了氢化非晶硅光电层薄膜的性能和质量;本发明的制备方法,简化了工艺流程,提高了薄膜质量,提高了控制的安全性,降低了成本,从而使含有光电层芯片的光电镊系统可以大规模推广应用到实际细胞测试等试验中,有很强的产业化前景。

    一种高通量单细胞图像统计分析方法及系统

    公开(公告)号:CN118968507A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410957670.6

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种高通量单细胞图像统计分析方法及系统,方法包括:将细胞导入微流控芯片后对细胞进行荧光标记,并在荧光标记后获取微流控芯片的图像;对获取到的小槽图像以及流道区域图像进行图像预处理;基于预处理后的小槽图像,通过图像识别模型识别出小槽内是否存在单细胞;当识别出存在单细胞的小槽后,截取出存在单细胞的每一小槽上方所对应的进行预处理后的每一流道区域图像;将每一流道区域图像进行分析处理,以计算出每一流道区域图像的亮度值;基于每一流道区域图像的亮度值以及存在单细胞的每一小槽,统计分析出所需单细胞的位置、数量和荧光信号强度信息。本申请能够能在上万个细胞中筛选出所需要的所有细胞。

    一种桌面式光电微流控操作设备

    公开(公告)号:CN118059972A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410466650.9

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种桌面式光电微流控操作设备,涉及光电镊技术领域,包括:CCD相机、筒透镜和投影光机,支撑架顶部固定安安装有底板,筒透镜与CCD相机组合使用,U型支撑架固定安装于底板顶部,CCD相机可调节结构安装于U型支撑架顶部,且反射镜可调节结构与CCD相机之间通过CCD相机可调节结构进行连接,投影光机安装于底板顶部,且投影光机位于CCD相机可调节结构下方,物镜可调节结构安装于底板顶部,且物镜可调节结构位于反射镜可调节结构下方,分光镜可调节结构设于反射镜可调节结构与物镜可调节结构之间。本发明使用反射镜可调节结构解决了反射镜调节不便,光路调整困难的问题,使用分光镜可调节结构解决了分光镜调节不便,光路调整困难的问题。

    一种载药磁流体机器人的制备方法

    公开(公告)号:CN117283608A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311566209.X

    申请日:2023-11-22

    Inventor: 冯林 纪易明 白雪

    Abstract: 本发明提供了一种载药磁流体机器人的制备方法,属于微流控技术领域,解决了现有技术磁流体机器人存在的基载液不适配、纳米颗粒药物运动控制难、利用率低的问题。该方法包括如下步骤:S1.制备具有生物相容性基载液并可链接设定药物的分子的磁流体机器人;S2.将制备的磁流体机器人与设定药物进行混合并溶解,获得载药磁流体机器人。使用生物相容性基载液,可以解决基载液不适配带来的生物相容性问题。由于磁流体具有独特的可变形和可分割的特性,在肿瘤靶向治疗领域具有巨大的发展潜力和广泛的应用前景,可在电磁铁或永磁体的吸引下跟随磁极运动,降低了对高度流场和复杂血管环境的要求,大大提高了药物利用率和治疗成功率。

    一种光电微流控装置制作方法及装置

    公开(公告)号:CN117067466B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311319448.5

    申请日:2023-10-12

    Abstract: 本发明提供了一种光电微流控装置制作方法,属于光电镊设备技术领域,方法包括:提供阳膜结构,其中,阳膜结构上具有所需通孔对应的图案结构;在阳膜结构上浇筑预聚物,预聚物漫过通孔;在预聚物上压制压制件,压制件上与通孔相对处设置有抑制剂,抑制剂用于抑制通孔处的预聚物固化;预聚物固化后,去除压制件以及阳膜结构;键合基底材料,形成光电微流控装置。本发明不受限于阳模结构、尺寸等因素限制,可完美匹配光电微流控装置或其它任何一种需要具有通孔结构的微流控装置,尤其是在应对高度阵列化的通孔结构中,比其它方法具有更简便操作和更高产品质量等优势。

    包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊

    公开(公告)号:CN116936671B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311175944.8

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本发明涉及光电镊器件领域,更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊,包括器件,器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层,上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层;优选的,所述的上电极和下电极之间施加交流电压;受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层;输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层;本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流;这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层,这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率,这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。

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