-
公开(公告)号：CN117920372B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410303431.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 微纳动力(北京)科技有限责任公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种光电镊芯片及其制造方法，涉及生物芯片技术领域，包括：下基底和上基底，下基底和上基底之间通过隔离墙进行连接，且两两隔离墙之间为流道结构；下基底由衬底和光电器件组成，且光电器件位于衬底上端，通过光刻显影蚀刻工艺对光电器件进行刻蚀形成具有间隔的光敏器件填充区域后，通过对填充区域进行填充形成绝缘层；通过在玻璃基板镀一层ITO膜形成上基底，上基底与隔离墙通过粘结剂进行连接；本发明光电镊芯片中的微流道材料采用金属代替现有的有机高分子，从而增加了入射光效率，减少入射光功率，提高光电镊芯片导热性，提高光电镊芯片可靠性。
-
公开(公告)号：CN117920372A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410303431.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 微纳动力(北京)科技有限责任公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种光电镊芯片及其制造方法，涉及生物芯片技术领域，包括：下基底和上基底，下基底和上基底之间通过隔离墙进行连接，且两两隔离墙之间为流道结构；下基底由衬底和光电器件组成，且光电器件位于衬底上端，通过光刻显影蚀刻工艺对光电器件进行刻蚀形成具有间隔的光敏器件填充区域后，通过对填充区域进行填充形成绝缘层；通过在玻璃基板镀一层ITO膜形成上基底，上基底与隔离墙通过粘结剂进行连接；本发明光电镊芯片中的微流道材料采用金属代替现有的有机高分子，从而增加了入射光效率，减少入射光功率，提高光电镊芯片导热性，提高光电镊芯片可靠性。
-
公开(公告)号：CN116936671B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311175944.8
申请日：2023-09-13
Applicant: 微纳动力(北京)科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及光电镊器件领域，更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊，包括器件，器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层，上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层；优选的，所述的上电极和下电极之间施加交流电压；受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层；输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层；本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流；这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层，这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率，这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。
-
公开(公告)号：CN116936671A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311175944.8
申请日：2023-09-13
Applicant: 微纳动力(北京)科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及光电镊器件领域，更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊，包括器件，器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层，上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层；优选的，所述的上电极和下电极之间施加交流电压；受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层；输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层；本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流；这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层，这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率，这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.034 seconds)
