集成电路封装基底
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107438898A

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201680020505.1

    申请日:2016-04-06

    Abstract: 本发明涉及一种集成电路封装基底,更具体地,涉及一种通过改善用于将集成电路封装基底的上部和下部电连接的金属线与形成在集成电路封装基底内部的玻璃之间的粘合力来展现优异的导电性和可靠性的集成电路封装基底。为此,本发明提供了一种集成电路封装基底,所述集成电路封装基底包括:芯部,由玻璃制成;第一金属薄板,形成在芯部的上部上并由Cu制成;第二金属薄板,形成在芯部的下部并由Cu制成;金属线,以金属线穿过第一金属薄板、芯部和第二金属薄板以便将第一金属薄板和第二金属薄板电连接的形状形成,并由Cu制成;中间层,形成在金属线的外圆周表面上,其中,中间层包括Cu2O、用过渡金属掺杂的Cu2O以及包括Cu和过渡金属的金属氧化物中的任何一种。

    集成电路封装基底
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107438898B

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201680020505.1

    申请日:2016-04-06

    Abstract: 本发明涉及一种集成电路封装基底,更具体地,涉及一种通过改善用于将集成电路封装基底的上部和下部电连接的金属线与形成在集成电路封装基底内部的玻璃之间的粘合力来展现优异的导电性和可靠性的集成电路封装基底。为此,本发明提供了一种集成电路封装基底,所述集成电路封装基底包括:芯部,由玻璃制成;第一金属薄板,形成在芯部的上部上并由Cu制成;第二金属薄板,形成在芯部的下部并由Cu制成;金属线,以金属线穿过第一金属薄板、芯部和第二金属薄板以便将第一金属薄板和第二金属薄板电连接的形状形成,并由Cu制成;中间层,形成在金属线的外圆周表面上,其中,中间层包括Cu2O、用过渡金属掺杂的Cu2O以及包括Cu和过渡金属的金属氧化物中的任何一种。

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