公开(公告)号：CN119156690A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380038855.0

申请日：2023-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·周 ,  符谦

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本文描述一种蚀刻样品的方法。所述方法包括执行等离子体蚀刻脉冲。所述等离子体蚀刻脉冲是通过朝向所述样品引导包括四氯化硅(SiCl4)和稀释剂的气流来执行的。引导所述气流的同时，施加偏压功率以实现偏压状态达第一时间段。然后，施加源功率，以实现源状态达第二时间段，然后不施加偏压功率和源功率，以实现恢复状态达第三时间段。重复所述等离子体蚀刻脉冲，直到蚀刻了目标量的样品为止。

公开(公告)号：CN112771645A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980045611.9

申请日：2019-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永景 ,  T-J·龚 ,  M·尾形 ,  Y·周 ,  韩新海 ,  D·帕德希 ,  J·C·罗查 ,  A·K·班塞尔 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施例涉及制造具有最小化的面内失真(IPD)和平板印刷覆盖误差的氧化物/氮化物(ON)层堆叠。形成层堆叠ON层的方法包括使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动。对称地施加RF功率以形成SiO2的第一材料层。使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动。对称地施加第二RF功率以形成Si3N4的第二材料层。重复以下步骤直到第一材料层和第二材料层的期望数量构成层堆叠：使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动；对称地施加第一RF功率；使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动；以及对称地施加第二RF功率。

公开(公告)号：CN118103950A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068532.1

申请日：2022-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·周 ,  符谦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在所述处理区域内。所述基板可包括由所述基板的多个暴露区域所分隔的一个或多个图案化特征。所述方法可包括：将含氢前驱物提供至所述半导体处理腔室的所述处理区域。所述方法可包括：形成所述含硅前驱物和所述含氢前驱物的等离子体。形成所述含硅前驱物和所述含氢前驱物的所述等离子体可在小于或约1000W的等离子体功率下执行。所述方法可包括：沿着所述基板在所述一个或多个图案化特征上沉积含硅材料。可以以相对于所述基板的所述暴露区域上的沉积至少为2:1的速率在所述图案化特征上沉积所述含硅材料。