公开(公告)号：CN112771645A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980045611.9

申请日：2019-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永景 ,  T-J·龚 ,  M·尾形 ,  Y·周 ,  韩新海 ,  D·帕德希 ,  J·C·罗查 ,  A·K·班塞尔 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施例涉及制造具有最小化的面内失真(IPD)和平板印刷覆盖误差的氧化物/氮化物(ON)层堆叠。形成层堆叠ON层的方法包括使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动。对称地施加RF功率以形成SiO2的第一材料层。使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动。对称地施加第二RF功率以形成Si3N4的第二材料层。重复以下步骤直到第一材料层和第二材料层的期望数量构成层堆叠：使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动；对称地施加第一RF功率；使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动；以及对称地施加第二RF功率。