用于在基板上沉积层的设备和方法

    公开(公告)号:CN109983150B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN201680091011.2

    申请日:2016-11-22

    Abstract: 本公开内容提供了一种用于在基板(10)上进行层沉积的设备(100)。所述设备(100)包括:真空腔室(101);至少一个溅射源(110),所述至少一个溅射源(110)在所述真空腔室(101)中,其中所述至少一个溅射源(110)包括可旋转的柱形阴极(112)和在所述可旋转的柱形阴极(112)中的磁体组件(114),并且其中所述磁体组件(114)是围绕第一旋转轴线(115)可旋转的;控制器(120),所述控制器(120)被配置为通过所述磁体组件(114)围绕所述第一旋转轴线(115)的旋转来调整所述磁体组件(114)相对于垂直于所述基板(10)的平面的角度;和驱动布置(130),所述驱动布置(130)被配置为用于在层沉积工艺期间所述至少一个溅射源(110)的基本连续的线性移动。

    用于传输薄膜基板的真空处理系统、设备和方法

    公开(公告)号:CN118176319A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202180103781.5

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 描述一种用于在真空条件下传输薄膜基板(12)的设备(10)。用于传输的所述设备(10)包括具有面向基板表面(102)的可旋转辊(100),所述面向基板表面(102)包括第一面向基板表面部分(104),其中所述面向基板表面(102)包括一或多个气体出口(105),其中所述一或多个气体出口经配置用于释放气流,并且所述辊包括沉积区域(106)及至少一个非沉积区域(108)。所述设备进一步包括:气体分配系统(400),所述气体分配系统(400)用于穿过一或多个气体出口(105)提供气流至薄膜基板(12)与第一面向基板表面部分(104)之间的间隙中;及密封带输送系统(120),所述密封带输送系统(120)包括在至少一个非沉积区域(108)处提供的一或多个密封带(122)。

    用于沉积蒸镀材料的沉积源、沉积设备及其方法

    公开(公告)号:CN116635566A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202080106890.8

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 根据本公开内容的各方面,提供了用于在基板上沉积蒸镀材料层的沉积源、沉积设备和方法。所述沉积源(100)包括:坩埚(104),所述坩埚用于提供蒸镀材料;第一喷嘴区(110),所述第一喷嘴区在第一方向上延伸并具有与所述坩埚(104)连通的第一多个喷嘴(101);以及第二喷嘴区(120),所述第二喷嘴区从所述第一喷嘴区(110)的端部在所述第一方向上延伸,所述第二喷嘴区(120)具有与所述坩埚(104)连通的第二多个喷嘴(102),其中所述第二多个喷嘴(102)中的每个相邻喷嘴在朝向所述第一喷嘴区的方向上倾斜。所述沉积设备(200)包括:真空腔室(201);根据本公开内容的各方面的沉积源(100);以及基板运输机或源运输机,所述基板运输机用于将所述基板S运输经过所述沉积源(100),所述源运输机用于将所述沉积源(100)运输经过所述基板S。

    换卷腔室、卷对卷处理系统和连续地提供柔性基板的方法

    公开(公告)号:CN116438129A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202080106919.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 描述了一种用于更换基板卷(10)的换卷腔室(100)。所述换卷腔室(100)包括可绕中心轴线(111)旋转的可旋转基部构造(110)。所述基部构造(110)包括:第一卷保持器(120),所述第一卷保持器用于保持第一基板卷(121)第二卷保持器(130),所述第二卷保持器用于保持第二基板卷(131);以及壁(140),所述壁用于在所述换卷腔室(100)中提供第一隔室(101)和第二隔室(102)。所述壁(140)布置在所述第一卷保持器(120)与所述第二卷保持器(130)之间。另外,描述了一种具有换卷腔室的卷对卷处理系统以及一种在卷对卷处理系统中连续地提供柔性基板的方法。

    蒸发源、具有蒸发源的沉积设备及其方法

    公开(公告)号:CN115279935A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202080098613.7

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 在本公开内容中,提供一种用于在处理腔室(510)中在基板(S)上沉积材料的蒸发源(100)。该蒸发源(100)包括壁(110),将内部区域(101)与外部区域(102)分离;蒸发管(120),自壁(110)延伸至内部区域(101)中,该蒸发管(120)具有多个开口(122);内管(160),延伸经过壁(110)至蒸发管(120)中,该内管环绕加热元件(140);和可密封外壳(130),自壁(110)延伸至外部区域(102)中,其中可密封外壳(130)和内管(160)形成与内部区域(101)隔离的维护腔室(150)。其他多个方面包括一种具有所述蒸发源(100)的沉积设备(500)、一种用于替换所述蒸发源(100)中的加热元件(140)的方法、一种用于填充所述蒸发源(100)的方法,和一种用于停用所述蒸发源(100)的方法。

    用于在基板上沉积层的设备和方法

    公开(公告)号:CN109983150A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201680091011.2

    申请日:2016-11-22

    Abstract: 本公开内容提供了一种用于在基板(10)上进行层沉积的设备(100)。所述设备(100)包括:真空腔室(101);至少一个溅射源(110),所述至少一个溅射源(110)在所述真空腔室(101)中,其中所述至少一个溅射源(110)包括可旋转的柱形阴极(112)和在所述可旋转的柱形阴极(112)中的磁体组件(114),并且其中所述磁体组件(114)是围绕第一旋转轴线(115)可旋转的;控制器(120),所述控制器(120)被配置为通过所述磁体组件(114)围绕所述第一旋转轴线(115)的旋转来调整所述磁体组件(114)相对于垂直于所述基板(10)的平面的角度;和驱动布置(130),所述驱动布置(130)被配置为用于在层沉积工艺期间所述基板(10)和所述至少一个溅射源(110)中的至少一个的基本连续的线性移动。

    用于溅射沉积的沉积源和真空沉积设备

    公开(公告)号:CN208400806U

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201590001572.X

    申请日:2015-07-24

    Abstract: 说明了一种用于溅射沉积的沉积源和一种真空沉积设备。沉积源包括:阴极(130,230),用于提供待沉积的靶材料;至少一个阳极组件(110,210),至少具有第一阳极区段(111,211)和第二阳极区段(112,212),第一阳极区段面对阴极的第一部分,第二阳极区段面对阴极的第二部分;和连接器组件(120)。连接器组件包括:第一电连接件(121),用于将第一阳极区段(111,211)连接到第一参考电位(P1);第二电连接件(122),用于将第二阳极区段(112,212)连接到第二参考电位(P2);和调整装置(150),用于调整第一电连接件(121)的第一电阻和第二电连接件(122)的第二电阻中的至少一个。可改善所溅射的层的层均匀性。

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