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公开(公告)号:CN111719116B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN202010428072.1
申请日:2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括:真空腔室(110);真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极,用于在基板(200)上溅射材料;气体分配系统(130),用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体;真空系统(140),用于在真空腔室(110)内提供真空;和安全布置(160),用于降低氧氢爆炸的风险,其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165),用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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公开(公告)号:CN111719116A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010428072.1
申请日:2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括:真空腔室(110);真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极,用于在基板(200)上溅射材料;气体分配系统(130),用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体;真空系统(140),用于在真空腔室(110)内提供真空;和安全布置(160),用于降低氧氢爆炸的风险,其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165),用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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公开(公告)号:CN107924802A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201580082619.4
申请日:2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括:真空腔室(110);真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极,用于在基板(200)上溅射材料;气体分配系统(130),用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体;真空系统(140),用于在真空腔室(110)内提供真空;和安全布置(160),用于降低氧氢爆炸的风险,其中安全布置(160)包含连接至真空系统(160)的稀释气体馈给单元(165),用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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公开(公告)号:CN116438129A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202080106919.2
申请日:2020-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: B65H19/18
Abstract: 描述了一种用于更换基板卷(10)的换卷腔室(100)。所述换卷腔室(100)包括可绕中心轴线(111)旋转的可旋转基部构造(110)。所述基部构造(110)包括:第一卷保持器(120),所述第一卷保持器用于保持第一基板卷(121)第二卷保持器(130),所述第二卷保持器用于保持第二基板卷(131);以及壁(140),所述壁用于在所述换卷腔室(100)中提供第一隔室(101)和第二隔室(102)。所述壁(140)布置在所述第一卷保持器(120)与所述第二卷保持器(130)之间。另外,描述了一种具有换卷腔室的卷对卷处理系统以及一种在卷对卷处理系统中连续地提供柔性基板的方法。
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公开(公告)号:CN102714168B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201180005159.7
申请日:2011-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67201 , Y10T137/0379
Abstract: 提供了用于衬底处理系统的锁止室,其至少包括适合于提供锁止室的内部部分与大气压或超压的流体连通的第一管道。此外,锁止室至少包括用于控制室的内部部分与大气压或超压的流体连通的流率的第一控制阀,其中,控制阀适合于连续地控制流率。此外,提供了相应方法、计算机程序和适合于执行方法的计算机可读介质。
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公开(公告)号:CN102714168A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201180005159.7
申请日:2011-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67201 , Y10T137/0379
Abstract: 本发明提供了用于衬底处理系统的锁止室,其至少包括适合于提供锁止室的内部部分与大气压或超压的流体连通的第一管道。此外,锁止室至少包括用于控制室的内部部分与大气压或超压的流体连通的流率的第一控制阀,其中,控制阀适合于连续地控制流率。此外,提供了相应方法、计算机程序和适合于执行方法的计算机可读介质。
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